JPS5834737U - 半導体ウエ−ハ - Google Patents

半導体ウエ−ハ

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Publication number
JPS5834737U
JPS5834737U JP13042481U JP13042481U JPS5834737U JP S5834737 U JPS5834737 U JP S5834737U JP 13042481 U JP13042481 U JP 13042481U JP 13042481 U JP13042481 U JP 13042481U JP S5834737 U JPS5834737 U JP S5834737U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
conductive layer
preliminary solder
fixing surface
fixed
Prior art date
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Pending
Application number
JP13042481U
Other languages
English (en)
Inventor
西川 治夫
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の半導体ウェーハの断面図、第2図はこ
の考案の一実施例を示す半導体ウェーハの断面図である
。 10・・・・・・ウェーハ基体、11.11・・・・・
・各素子(npnパワートランジスタ)、20・・・・
・・固着面(裏面)、21・・・・・・区分線、22.
22・・曲絶縁路(Si02膜)、23.23・・・・
・・導電層(金属層)、24.24・・・・・・絶縁路
、25.25・・曲予備半田。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 各素子に分割して基板へ固着する際の固着面上に、予備
    半田を被覆させる半導体ウェーハにおいて、前記固着面
    上の各素子に区画する区分線に沿って、絶縁路を形成す
    るとともに、それ以外の固着面にオー ミック接触性良
    好な導電層を形成し、少なくとも導電層上に予備半田を
    被着させたことを特徴とする半導体ウェーハ。
JP13042481U 1981-08-31 1981-08-31 半導体ウエ−ハ Pending JPS5834737U (ja)

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JP13042481U JPS5834737U (ja) 1981-08-31 1981-08-31 半導体ウエ−ハ

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JP13042481U JPS5834737U (ja) 1981-08-31 1981-08-31 半導体ウエ−ハ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5834737U true JPS5834737U (ja) 1983-03-07

Family

ID=29924052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13042481U Pending JPS5834737U (ja) 1981-08-31 1981-08-31 半導体ウエ−ハ

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JP (1) JPS5834737U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61245416A (ja) * 1985-04-20 1986-10-31 マシイネンフアブリーク・ラインハウゼン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング 油入り作動タツプ選択器の接点部材
JPH0249442A (ja) * 1988-08-11 1990-02-19 Toshiba Corp 光半導体素子のダイボンディング方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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