JPS5834737U - 半導体ウエ−ハ - Google Patents
半導体ウエ−ハInfo
- Publication number
- JPS5834737U JPS5834737U JP13042481U JP13042481U JPS5834737U JP S5834737 U JPS5834737 U JP S5834737U JP 13042481 U JP13042481 U JP 13042481U JP 13042481 U JP13042481 U JP 13042481U JP S5834737 U JPS5834737 U JP S5834737U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- conductive layer
- preliminary solder
- fixing surface
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は、従来の半導体ウェーハの断面図、第2図はこ
の考案の一実施例を示す半導体ウェーハの断面図である
。 10・・・・・・ウェーハ基体、11.11・・・・・
・各素子(npnパワートランジスタ)、20・・・・
・・固着面(裏面)、21・・・・・・区分線、22.
22・・曲絶縁路(Si02膜)、23.23・・・・
・・導電層(金属層)、24.24・・・・・・絶縁路
、25.25・・曲予備半田。
の考案の一実施例を示す半導体ウェーハの断面図である
。 10・・・・・・ウェーハ基体、11.11・・・・・
・各素子(npnパワートランジスタ)、20・・・・
・・固着面(裏面)、21・・・・・・区分線、22.
22・・曲絶縁路(Si02膜)、23.23・・・・
・・導電層(金属層)、24.24・・・・・・絶縁路
、25.25・・曲予備半田。
Claims (1)
- 各素子に分割して基板へ固着する際の固着面上に、予備
半田を被覆させる半導体ウェーハにおいて、前記固着面
上の各素子に区画する区分線に沿って、絶縁路を形成す
るとともに、それ以外の固着面にオー ミック接触性良
好な導電層を形成し、少なくとも導電層上に予備半田を
被着させたことを特徴とする半導体ウェーハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13042481U JPS5834737U (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体ウエ−ハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13042481U JPS5834737U (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体ウエ−ハ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5834737U true JPS5834737U (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=29924052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13042481U Pending JPS5834737U (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体ウエ−ハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5834737U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61245416A (ja) * | 1985-04-20 | 1986-10-31 | マシイネンフアブリーク・ラインハウゼン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 油入り作動タツプ選択器の接点部材 |
JPH0249442A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-19 | Toshiba Corp | 光半導体素子のダイボンディング方法 |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13042481U patent/JPS5834737U/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61245416A (ja) * | 1985-04-20 | 1986-10-31 | マシイネンフアブリーク・ラインハウゼン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 油入り作動タツプ選択器の接点部材 |
JPH0249442A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-19 | Toshiba Corp | 光半導体素子のダイボンディング方法 |
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