JPS5822762U - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPS5822762U
JPS5822762U JP11636881U JP11636881U JPS5822762U JP S5822762 U JPS5822762 U JP S5822762U JP 11636881 U JP11636881 U JP 11636881U JP 11636881 U JP11636881 U JP 11636881U JP S5822762 U JPS5822762 U JP S5822762U
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JP
Japan
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layer
integrated circuit
circuit device
diffusion
wiring conductor
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Pending
Application number
JP11636881U
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English (en)
Inventor
飛田 敏男
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Publication of JPS5822762U publication Critical patent/JPS5822762U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の多層配線導体の一例を示す断面図、第2
図はこの考案の一実施例の多層配線導体を示す断面図で
ある。 図において、11は絶縁基板、12け下部配線導体、1
3はガラス絶縁層、14は上部配線導体、14aは拡散
抑制金属導体層、14bは半田付は可能金属導体層であ
る。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)絶縁基板と、この絶縁基板の表面上に形成された
    下部配線導体と、この下部配線導体の表面上に形成され
    たガラス絶縁層と、このガラス絶縁層の表面上に設けら
    れた上部配線導体とを備え上記上部配線導体に取付は部
    品が半田付けされるものにおいて、上記上部配線導体を
    、上記ガラス絶縁層の表面上に形成され上記ガラス絶縁
    層を構成するガラスの組成元素の拡散を抑制できる金属
    からなる拡散抑制金属導体層と、この拡散抑制金属導体
    層の表面上に形成され半田付は可能な金属からなる半田
    付は可能金属導体層とで構成したことを特徴とする混成
    集積回路装置。
  2. (2)拡散抑制金属導体層が金層からなることを特  
       徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載の混
    成集積回路装置。
  3. (3)拡散抑制金属導体層が金・白金合金層からなるこ
    とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載の混
    成集積回路装置。
JP11636881U 1981-08-03 1981-08-03 混成集積回路装置 Pending JPS5822762U (ja)

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