JPS5820543U - 厚膜回路の半田付け用電極 - Google Patents

厚膜回路の半田付け用電極

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JPS5820543U
JPS5820543U JP11576481U JP11576481U JPS5820543U JP S5820543 U JPS5820543 U JP S5820543U JP 11576481 U JP11576481 U JP 11576481U JP 11576481 U JP11576481 U JP 11576481U JP S5820543 U JPS5820543 U JP S5820543U
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JP
Japan
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thick film
soldering
electrode
film circuits
conductive layer
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JP11576481U
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JPS6311744Y2 (ja
Inventor
真之 長谷川
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三洋電機株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を示す断面図、第2図は本考案の一実施
例を示す断面図、第3図は第2図中の要部平面図、第4
図は本考案の他の実施例を示す断、 面図である。 11・・・絶縁基板、12・・・補助電極、13・・・
第1導電層、14・・・第2導電層。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)絶縁基板上に形成され、半田との固着強度の大な
    る厚膜ペーストからなる補助電極、該補助電極に一部重
    畳するように形成され、導体用金□ 属粉混入樹脂ペー
    ストからなる第1導電層、該第1導電層上に形成され、
    半田付は用金属粉混入樹脂ペーストからなる第2導電層
    からなるふとを特徴とする厚膜回路の半田付は用電極。
  2. (2)上記実用新案登録請求の範囲第1項において。 上記厚膜ペーストは金、銀、白金、パラジウムの単体も
    しくは2種類以上の合金からなることを特徴とする厚膜
    回路の半田付は用電極。
  3. (3)  上記実用新案登録請求の範囲第1項におdl
    て上記厚膜ペーストは銅からなることを特徴とする厚膜
    回路の半田付は用電極。
JP11576481U 1981-08-03 1981-08-03 厚膜回路の半田付け用電極 Granted JPS5820543U (ja)

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JPS5820543U true JPS5820543U (ja) 1983-02-08
JPS6311744Y2 JPS6311744Y2 (ja) 1988-04-05

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5642362A (en) * 1979-09-14 1981-04-20 Fujitsu Ltd Package for integrated circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5642362A (en) * 1979-09-14 1981-04-20 Fujitsu Ltd Package for integrated circuit

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