JPS6311744Y2 - - Google Patents
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- JPS6311744Y2 JPS6311744Y2 JP1981115764U JP11576481U JPS6311744Y2 JP S6311744 Y2 JPS6311744 Y2 JP S6311744Y2 JP 1981115764 U JP1981115764 U JP 1981115764U JP 11576481 U JP11576481 U JP 11576481U JP S6311744 Y2 JPS6311744 Y2 JP S6311744Y2
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- soldering
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Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は厚膜回路の半田付け用電極に関する。
従来、厚膜回路の導電路及び半田付け用電極は
銀−パラジウム等の貴金属粉をガラスペーストに
混入したものを基板上に印刷焼成して形成してい
た。しかし乍ら上記ペーストは約850℃という高
温で焼成するので生産コストがかかるという問題
があつた。また上記高価な貴金属粉に替えて銅を
用いると材料コストは安価となるが、焼成をN2
(窒素)雰囲気中で行なわなければならないので
生産コストがより高くなるという問題があつた。
銀−パラジウム等の貴金属粉をガラスペーストに
混入したものを基板上に印刷焼成して形成してい
た。しかし乍ら上記ペーストは約850℃という高
温で焼成するので生産コストがかかるという問題
があつた。また上記高価な貴金属粉に替えて銅を
用いると材料コストは安価となるが、焼成をN2
(窒素)雰囲気中で行なわなければならないので
生産コストがより高くなるという問題があつた。
そこで現在低温処理が可能な厚膜ペーストとし
て金属粉を合成樹脂モノマー中に混入した金属粉
混入ペーストを用いることが提案されている。
て金属粉を合成樹脂モノマー中に混入した金属粉
混入ペーストを用いることが提案されている。
第1図は斯る金属粉混入樹脂ペーストを用いた
従来の厚膜回路を示し、1は例えばアルミナ等の
絶縁基板、2は該基板1上に形成された第1導電
層であり、該第1導電層2は金属粉混入樹脂ペー
ストの一つである導体用樹脂ペーストを印刷重合
させて形成する。また斯る第1導電層2は導電路
となる。3は上記第1導電層2上の一部に形成さ
れた第2導電層であり、該第2導電層3は上記導
体用樹脂ペーストと異なる半田付け用樹脂ペース
トを印刷重合させて形成する。また斯る第2導電
層3の形成された部分は図に示す如くリード線4
等を半田5で接続するための半田付け用電極6と
なる。
従来の厚膜回路を示し、1は例えばアルミナ等の
絶縁基板、2は該基板1上に形成された第1導電
層であり、該第1導電層2は金属粉混入樹脂ペー
ストの一つである導体用樹脂ペーストを印刷重合
させて形成する。また斯る第1導電層2は導電路
となる。3は上記第1導電層2上の一部に形成さ
れた第2導電層であり、該第2導電層3は上記導
体用樹脂ペーストと異なる半田付け用樹脂ペース
トを印刷重合させて形成する。また斯る第2導電
層3の形成された部分は図に示す如くリード線4
等を半田5で接続するための半田付け用電極6と
なる。
尚上記導体用樹脂ペースト及び半田付用ペース
トとしては株式会社アサヒ化学研究所の銅粉混入
のフエノール樹脂ペーストACP020及びACP030
が夫々あげられる。
トとしては株式会社アサヒ化学研究所の銅粉混入
のフエノール樹脂ペーストACP020及びACP030
が夫々あげられる。
上記金属粉混入樹脂ペーストによる導電路及び
半田付け用電極の形成方法は貴金属を使用しない
ため、材料コストの大幅な低減の可能性があると
共に上記重合は約150℃という低温で行えるので
生産コストの低減となるが半田付け部分の強度が
銀・パラジウム焼成電極の場合と比べてはるかに
劣悪であるという問題がある。更に電極は有機物
質からなるため耐湿性が劣り、電気的な信頼性も
欠けるという問題があつた。
半田付け用電極の形成方法は貴金属を使用しない
ため、材料コストの大幅な低減の可能性があると
共に上記重合は約150℃という低温で行えるので
生産コストの低減となるが半田付け部分の強度が
銀・パラジウム焼成電極の場合と比べてはるかに
劣悪であるという問題がある。更に電極は有機物
質からなるため耐湿性が劣り、電気的な信頼性も
欠けるという問題があつた。
本考案は斯る点に鑑みてなされたもので、金属
粉混入樹脂ペーストを使用し、かつ斯るペースト
で形成される半田付け用電極の半田との固着強度
を強くすると共に電気的信頼性を向上しようとす
るものである。
粉混入樹脂ペーストを使用し、かつ斯るペースト
で形成される半田付け用電極の半田との固着強度
を強くすると共に電気的信頼性を向上しようとす
るものである。
第2図は本考案の一実施例を示し、11はセラ
ミツクス、ソーダライムガラス、ホーロー等から
なる絶縁基板、12は該基板11の将来半田付け
が行なわれる部分に形成された補助電極であり、
該補助電極12は例えば銀−パラジウムからなる
厚膜ペーストを印刷焼成して形成する。13は上
記補助電極12に一部重畳するように形成された
第1導電層であり、該第1導電層13は導体用樹
脂ペーストを印刷重合して形成する。14は上記
補助電極12と重畳する上記第1導電層13上付
近に積層された第2導電層であり、該第2導電層
14は半田付用樹脂ペーストを印刷重合して形成
する。ここに上記第1、第2導電層13,14の
重畳部分及び補助電極12からなる部分が半田付
け用電極15となり、斯る電極15に半田16で
リード線17等を接続する際に上記半田16は第
2導電層14及び補助電極12と接着することと
なる。
ミツクス、ソーダライムガラス、ホーロー等から
なる絶縁基板、12は該基板11の将来半田付け
が行なわれる部分に形成された補助電極であり、
該補助電極12は例えば銀−パラジウムからなる
厚膜ペーストを印刷焼成して形成する。13は上
記補助電極12に一部重畳するように形成された
第1導電層であり、該第1導電層13は導体用樹
脂ペーストを印刷重合して形成する。14は上記
補助電極12と重畳する上記第1導電層13上付
近に積層された第2導電層であり、該第2導電層
14は半田付用樹脂ペーストを印刷重合して形成
する。ここに上記第1、第2導電層13,14の
重畳部分及び補助電極12からなる部分が半田付
け用電極15となり、斯る電極15に半田16で
リード線17等を接続する際に上記半田16は第
2導電層14及び補助電極12と接着することと
なる。
従つて、本実施例の半田付け用電極15は従来
の金属粉混入ペーストだけからなる半田付け用電
極6に比して銀−パラジウムからなる補助電極1
2が半田との接着強度を維持するため導線に対す
る接着力は向上する。更に電気的特性に関しては
電流の経路が従来と同一「第1導電層13→第2
導電層14→半田16→リード線17」の他に、
「第1導電層13→補助電極12→半田16→リ
ード線17」もあり、後者は前者に比べて信頼性
が高い。そのため総合的な電気特性に関する信頼
性も向上される。
の金属粉混入ペーストだけからなる半田付け用電
極6に比して銀−パラジウムからなる補助電極1
2が半田との接着強度を維持するため導線に対す
る接着力は向上する。更に電気的特性に関しては
電流の経路が従来と同一「第1導電層13→第2
導電層14→半田16→リード線17」の他に、
「第1導電層13→補助電極12→半田16→リ
ード線17」もあり、後者は前者に比べて信頼性
が高い。そのため総合的な電気特性に関する信頼
性も向上される。
尚上記実施例では補助電極12の材料として銀
−パラジウムを用いたがこれに限るものではな
く、半田との接着強度の強い、例えば金、銀、白
金及びパラジウム等の貴金属を用いても良く、ま
た例えば金−パラジウム−白金、銀−パラジウム
−白金等のような上記貴金属の2種類以上の合金
を用いることも可能である。更に上記材料として
銅を用いることも可能である。
−パラジウムを用いたがこれに限るものではな
く、半田との接着強度の強い、例えば金、銀、白
金及びパラジウム等の貴金属を用いても良く、ま
た例えば金−パラジウム−白金、銀−パラジウム
−白金等のような上記貴金属の2種類以上の合金
を用いることも可能である。更に上記材料として
銅を用いることも可能である。
また、第3図に示す如く、補助電極12の第1
導電層13と重畳する部分のパターンを凹凸にす
ることが好ましく、このようなパターンにする
と、補助電極12と第1導電層13との印刷ズレ
による断線を防止でき、半田16を確実に付着さ
せることができる。
導電層13と重畳する部分のパターンを凹凸にす
ることが好ましく、このようなパターンにする
と、補助電極12と第1導電層13との印刷ズレ
による断線を防止でき、半田16を確実に付着さ
せることができる。
第4図は他の実施例を示し、本考案の半田付用
電極にリードフレームを接続したものであり、第
2図と同一箇所には同一番号を付した。
電極にリードフレームを接続したものであり、第
2図と同一箇所には同一番号を付した。
第4図において、21はリードフレームであ
り、該リードフレーム21は第1,第2端子21
a,21bを備え、該第1端子21aは上記半田
付け用電極15に半田で接続されて、第2端子2
1bは基板11の裏面側の半田付け用電極15と
対向する位置に設けられた補強用電極22に半田
12′で接続されている。尚斯る補強用電極22
は例えば銀−パラジウム等の半田との接着強度が
大なる材料で構成することが好ましい。
り、該リードフレーム21は第1,第2端子21
a,21bを備え、該第1端子21aは上記半田
付け用電極15に半田で接続されて、第2端子2
1bは基板11の裏面側の半田付け用電極15と
対向する位置に設けられた補強用電極22に半田
12′で接続されている。尚斯る補強用電極22
は例えば銀−パラジウム等の半田との接着強度が
大なる材料で構成することが好ましい。
通常、斯るリードフレーム21を装着する場
合、リードフレーム21が剛性体であるためにて
この原理により、第3図において第1端子21a
の一端が支点Aに、第1端子21aと第2端子2
1bとの分岐部付近が力点Bになると共に斯る支
点Aと力点Bとの中間点付近が作用点Cとして働
く。
合、リードフレーム21が剛性体であるためにて
この原理により、第3図において第1端子21a
の一端が支点Aに、第1端子21aと第2端子2
1bとの分岐部付近が力点Bになると共に斯る支
点Aと力点Bとの中間点付近が作用点Cとして働
く。
従つて第1図に示した金属粉混入樹脂ペースト
のみからなる電極は結合力の弱い樹脂からなるた
め、作用点Cにかかる力により上記電極が破壊さ
れることがあつた。しかし乍ら本考案の電極構成
であれば作用点C付近は銀−パラジウム等で構成
されるため半田12′との接着強度が非常に強く、
従来に比べて外力に対して強固となる。
のみからなる電極は結合力の弱い樹脂からなるた
め、作用点Cにかかる力により上記電極が破壊さ
れることがあつた。しかし乍ら本考案の電極構成
であれば作用点C付近は銀−パラジウム等で構成
されるため半田12′との接着強度が非常に強く、
従来に比べて外力に対して強固となる。
また、基板11裏面に補強用電極22を設けて
いるためよりいつそう強度に関して信頼性が向上
する。更に上記補強用電極22はリードフレーム
21の分岐部に近接する位置に設けるほうがリー
ドフレーム21の固着強度の面からは好ましい。
いるためよりいつそう強度に関して信頼性が向上
する。更に上記補強用電極22はリードフレーム
21の分岐部に近接する位置に設けるほうがリー
ドフレーム21の固着強度の面からは好ましい。
上述の如く本考案に依れば半田付け部の一部特
に外力の加わりやすい部分に高価ではあるが半田
との固着強度が大で且つ電気的信頼性の高い厚膜
ペーストを用いて補強しているので機械的、電気
的信頼性が大きく、且つ生産コスト及び材料コス
トも安価とすることができる。
に外力の加わりやすい部分に高価ではあるが半田
との固着強度が大で且つ電気的信頼性の高い厚膜
ペーストを用いて補強しているので機械的、電気
的信頼性が大きく、且つ生産コスト及び材料コス
トも安価とすることができる。
第1図は従来例を示す断面図、第2図は本考案
の一実施例を示す断面図、第3図は第2図中の要
部平面図、第4図は本考案の他の実施例を示す断
面図である。 11……絶縁基板、12……補助電極、13…
…第1導電層、14……第2導電層。
の一実施例を示す断面図、第3図は第2図中の要
部平面図、第4図は本考案の他の実施例を示す断
面図である。 11……絶縁基板、12……補助電極、13…
…第1導電層、14……第2導電層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 絶縁基板上の導体用金属粉混入樹脂ペースト
からなる第1導電層上の端部に形成された半田
付け用金属粉混入樹脂ペーストからなる第2導
電層を半田付け部としてなる厚膜回路におい
て、前記絶縁基板上の前記半田付け部近傍で且
つこの半田付け部と一部重畳する位置に、半田
との固着強度が前記第2導電層より大なる厚膜
ペーストからなる補助電極を形成し、該補助電
極及び前記半田付け部に半田を付着せしめてな
る、厚膜回路の半田付け用電極。 (2) 上記実用新案登録請求の範囲第1項におい
て、上記厚膜ペーストは金、銀、白金、パラジ
ウムの単体もしくは2種類以上の合金からなる
ことを特徴とする厚膜回路の半田付け用電極。 (3) 上記実用新案登録請求の範囲第1項において
上記厚膜ペーストは銅からなることを特徴とす
る厚膜回路の半田付け用電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11576481U JPS5820543U (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 厚膜回路の半田付け用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11576481U JPS5820543U (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 厚膜回路の半田付け用電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5820543U JPS5820543U (ja) | 1983-02-08 |
JPS6311744Y2 true JPS6311744Y2 (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=29910018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11576481U Granted JPS5820543U (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 厚膜回路の半田付け用電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5820543U (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5642362A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Package for integrated circuit |
-
1981
- 1981-08-03 JP JP11576481U patent/JPS5820543U/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5642362A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Package for integrated circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5820543U (ja) | 1983-02-08 |
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