JPS5983054U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5983054U
JPS5983054U JP17903982U JP17903982U JPS5983054U JP S5983054 U JPS5983054 U JP S5983054U JP 17903982 U JP17903982 U JP 17903982U JP 17903982 U JP17903982 U JP 17903982U JP S5983054 U JPS5983054 U JP S5983054U
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JP
Japan
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layer
thickness
semiconductor equipment
semiconductor device
platinum
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Pending
Application number
JP17903982U
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English (en)
Inventor
金森　周一
孝明 中田
Original Assignee
日本電信電話株式会社
日本電気株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２図と第３
図はｐｔ層が厚い場合と薄い場合のそれぞれのｐｔ侵入
の模式図、第４図はｐｔ層の厚さとＰｔＳｉの成長の関
係を示した特性図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・拡散層、
３・・・・・ウリコン酸化膜、４・・・・・・ｐｔシリ
サイド（ＰｔＳｉ）層、５　　　　　゛・・・・・・チ
タン（Ｔｉ）層、６・・・・・・窒化チタン（ＴｉＮ）
ｉ、７・・・・・・白金（ｐｔ）層、８・・・・・・金
（Ａｕ）層、９・・・・・ゼンホール等の欠陥、１０・
・・・・・ｐｔシリサイド（侵入第　２　図 第　３　閃

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板の半導体層の表面に形成した白金シリサイド層上に
    、第１層としてチタン層、第２層として窒化チタン層、
    第３層として白金属に属する金属又はその合金、第４層
    として金をそれぞれ使用した多層電極を有する半導体装
    置において、前記第３層の厚さを前記第１層の厚さと前
    記第２層の厚さとの和の４４％以下とすることを特徴と
    する半導体装置。
JP17903982U 1982-11-29 1982-11-29 半導体装置 Pending JPS5983054U (ja)

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JPS5983054U true JPS5983054U (ja) 1984-06-05

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Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M.A.NICOLET.THIN SOLID JILMS=1978 *

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