JPS6112260U - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents

半導体レ−ザアレイ装置

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JPS6112260U
JPS6112260U JP9640184U JP9640184U JPS6112260U JP S6112260 U JPS6112260 U JP S6112260U JP 9640184 U JP9640184 U JP 9640184U JP 9640184 U JP9640184 U JP 9640184U JP S6112260 U JPS6112260 U JP S6112260U
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JP
Japan
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semiconductor laser
array device
laser array
thin film
semiconductor
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Pending
Application number
JP9640184U
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English (en)
Inventor
正隆 伊藤
義徳 太田
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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Publication of JPS6112260U publication Critical patent/JPS6112260U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】 第１図ａ， ｂ， ｃは従来のＬＤアレイ装皺のヒー
トシンクを示す図で、１はダイヤモンドヒートシンク、
３，５は基体、２，４．７はパターン化された電極層で
ある。 第２図は本考案による実施例を示す構成図で、８はＳｉ
基板、９はダイヤモンド状薄膜、１０はＴｉ膜、１１は
Ａｕｌｌ莫、１２はＳｎ膜、１３はＬＤアレイ素子であ
る。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 複数の半導体レーザ素子よりなる半導体レーザ素子複合
    体を主面がダイヤモンド状薄膜で覆われ、さらに前記薄
    膜上に互いに電気的に分離されパターン化された複数の
    電極層が形成された金属基体もしくは半導体基板よりな
    るヒートシンクの前記電極層に接着固定した事を特徴と
    する半導体レーザアレイ装置。
JP9640184U 1984-06-27 1984-06-27 半導体レ−ザアレイ装置 Pending JPS6112260U (ja)

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JP9640184U JPS6112260U (ja) 1984-06-27 1984-06-27 半導体レ−ザアレイ装置

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JPS6112260U true JPS6112260U (ja) 1986-01-24

Family

ID=30655859

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JP9640184U Pending JPS6112260U (ja) 1984-06-27 1984-06-27 半導体レ−ザアレイ装置

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JP (1) JPS6112260U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63164264U (ja) * 1987-04-14 1988-10-26

Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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