JPS6139966U - 半導体複合装置 - Google Patents

半導体複合装置

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JPS6139966U
JPS6139966U JP12478484U JP12478484U JPS6139966U JP S6139966 U JPS6139966 U JP S6139966U JP 12478484 U JP12478484 U JP 12478484U JP 12478484 U JP12478484 U JP 12478484U JP S6139966 U JPS6139966 U JP S6139966U
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JP
Japan
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semiconductor composite
semiconductor
composite equipment
groove
composite device
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Application number
JP12478484U
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English (en)
Inventor
彰康 石谷
Original Assignee
ソニー株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第ＩＡ図〜第ＩＣ図（よそれぞれ本考案に係る半導体複
合装置の第１実施例を示す平面図、そのＩ一■線の断面
図及び■一■線の断面図、第２Ａ図及び第２Ｂ図はそれ
ぞれ本考案に係る半導体複合装置の第２実施例わ示す平
面図及びその■一■線の断面図、第３図は本考案の変形
例を示す平面図である。 なお図面に用いられた符号において、１・・・・・・ｎ
型ＧａＡｓ基板、２・・・・・・半導体レーザー、３・
・・・・・受光素子（所定の素子）、４・・・・・・溝
、８・・・・・・活性層、１４・・・・・・レーザー光
、である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板にそれぞれ形成されかつ溝により互いに分離
    されている半導体レーザーと所定の素子とを具備する半
    導体複合装置において、上記溝に露出している上記半導
    体レーザーの一端面に対して、上記溝に露出している上
    記所定の素子の一端面を傾斜させたことを特徴とする半
    導体複合装置。
JP12478484U 1984-08-16 1984-08-16 半導体複合装置 Pending JPS6139966U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0537093A (ja) * 1991-07-20 1993-02-12 Samsung Electron Co Ltd 化合物半導体装置及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59103394A (ja) * 1982-12-06 1984-06-14 Agency Of Ind Science & Technol 検出器付レ−ザダイオ−ド

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59103394A (ja) * 1982-12-06 1984-06-14 Agency Of Ind Science & Technol 検出器付レ−ザダイオ−ド

Cited By (1)

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