JPS6112261U - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPS6112261U
JPS6112261U JP9640284U JP9640284U JPS6112261U JP S6112261 U JPS6112261 U JP S6112261U JP 9640284 U JP9640284 U JP 9640284U JP 9640284 U JP9640284 U JP 9640284U JP S6112261 U JPS6112261 U JP S6112261U
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JP
Japan
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semiconductor laser
laser equipment
electrode layer
heat sink
covered
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Pending
Application number
JP9640284U
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English (en)
Inventor
正隆 伊藤
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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Publication of JPS6112261U publication Critical patent/JPS6112261U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】 第1図は本考案による実施例を示す構成図で1はSiヒ
ートシンク、2はダイヤモンド状薄膜、3はTi膜、4
はAu膜、5はSn膜、6はCrAu膜、7はLDであ
る。 第2図a,’b,cは本考案のLD装置の動作を示す模
式図で8はLDパッケージステム、9は外部電極、10
.11は電極である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体レーザ素子を、主面が絶縁膜で覆われ、さらに前
    記絶一十に電極層が形成された良熱伝導性媒体よりなる
    ヒートシンクの電極層上に接着固定し、さらに前記絶縁
    膜をダイヤモンド状薄膜で構成したことを特徴とする半
    導体レーザ装置。
JP9640284U 1984-06-27 1984-06-27 半導体レ−ザ装置 Pending JPS6112261U (ja)

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JP9640284U JPS6112261U (ja) 1984-06-27 1984-06-27 半導体レ−ザ装置

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JP9640284U JPS6112261U (ja) 1984-06-27 1984-06-27 半導体レ−ザ装置

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JPS6112261U true JPS6112261U (ja) 1986-01-24

Family

ID=30655861

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JP9640284U Pending JPS6112261U (ja) 1984-06-27 1984-06-27 半導体レ−ザ装置

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JP (1) JPS6112261U (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63164264U (ja) * 1987-04-14 1988-10-26
KR20210092278A (ko) 2018-12-21 2021-07-23 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 강판, 부재 및 이것들의 제조 방법
KR20210092279A (ko) 2018-12-21 2021-07-23 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 강판, 부재 및 이것들의 제조 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63164264U (ja) * 1987-04-14 1988-10-26
KR20210092278A (ko) 2018-12-21 2021-07-23 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 강판, 부재 및 이것들의 제조 방법
KR20210092279A (ko) 2018-12-21 2021-07-23 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 강판, 부재 및 이것들의 제조 방법

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