JPS585358U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS585358U JPS585358U JP9733981U JP9733981U JPS585358U JP S585358 U JPS585358 U JP S585358U JP 9733981 U JP9733981 U JP 9733981U JP 9733981 U JP9733981 U JP 9733981U JP S585358 U JPS585358 U JP S585358U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- silicon layer
- conductivity type
- semiconductor substrate
- trapezoidal shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の高周波トランジスタの平面図、第２及び
第３図は、その製造工程における各断面図、第４図は本
考案の一実施例を示す平面図、第５図〜第７図は、その
製造工程における各断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜層、
３・・・・・・ベース領域、４Ａ・・・・・・不純物を
添加された多結晶シリコン層、４Ｂ・・・・・・不純物
を添加されていない多結晶シリ□コン層、５・・・・・
・エミッタ領域、６・・・・・・酸化膜層、７・・・・
・・側面保護用酸化膜、８・・・・・・側面保護用窒化
膜、９・・・・・・エミッタ電極、１０・・・・・・ベ
ース電極、１１・・・・・・ベースコンタクト領域、１
２Ａ・・・・・・上面が電極金属で被覆されてない突起
部、１２Ｂ・・・・・・上面が電極金属で被覆されてい
る突起部、１３・・・・・・ホトレジスト層、１４・・
・・・・イオン注入された不純物が添加されていない多
結晶シリコン層。
第３図は、その製造工程における各断面図、第４図は本
考案の一実施例を示す平面図、第５図〜第７図は、その
製造工程における各断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜層、
３・・・・・・ベース領域、４Ａ・・・・・・不純物を
添加された多結晶シリコン層、４Ｂ・・・・・・不純物
を添加されていない多結晶シリ□コン層、５・・・・・
・エミッタ領域、６・・・・・・酸化膜層、７・・・・
・・側面保護用酸化膜、８・・・・・・側面保護用窒化
膜、９・・・・・・エミッタ電極、１０・・・・・・ベ
ース電極、１１・・・・・・ベースコンタクト領域、１
２Ａ・・・・・・上面が電極金属で被覆されてない突起
部、１２Ｂ・・・・・・上面が電極金属で被覆されてい
る突起部、１３・・・・・・ホトレジスト層、１４・・
・・・・イオン注入された不純物が添加されていない多
結晶シリコン層。
Claims (1)
- 一導電型を呈する半導体基板に所定の導電型を含む多結
晶シリコン層を用いて当該所定の導電型の不純物領域を
形成した半導体装置において、前記多結晶シリコン層の
周辺側面部のうち前記半導体基板の動作領域と対向する
部分の側面は逆台形状に形成され、前記多結晶シリコン
層上の少くとも外部電極との接続部に相当する部分の多
結晶シリコン層の側面は台形状に形成されていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9733981U JPS585358U (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9733981U JPS585358U (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585358U true JPS585358U (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=29892150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9733981U Pending JPS585358U (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585358U (ja) |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP9733981U patent/JPS585358U/ja active Pending
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