JPS5858360U - プレ−ナ型半導体素子 - Google Patents

プレ−ナ型半導体素子

Info

Publication number
JPS5858360U
JPS5858360U JP15230581U JP15230581U JPS5858360U JP S5858360 U JPS5858360 U JP S5858360U JP 15230581 U JP15230581 U JP 15230581U JP 15230581 U JP15230581 U JP 15230581U JP S5858360 U JPS5858360 U JP S5858360U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
substrate
junction
conductivity type
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15230581U
Other languages
English (en)
Inventor
小林　経広
建弥 桜井
Original Assignee
富士電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士電機株式会社 filed Critical 富士電機株式会社
Priority to JP15230581U priority Critical patent/JPS5858360U/ja
Publication of JPS5858360U publication Critical patent/JPS5858360U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は高耐圧プレーナ型トランジスタの従来例の断面
図、第２図はそのＰＮ接合部の部分拡大断面図、第３図
は別の従来例の断面図、第４図は本考案の一実施例の断
面図、第５図はそのＰＮ接合部の部分拡大断面図である
。 １・・・シリコン板、２，９・・・ＰＮ接合、４・・・
ＳｉＯ□膜、５・・・ベース電極、６・・・空乏層、７
・・・環状領域、８・・・金属層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電形の半導体基板中に反対導電形の領域を備え、該
    領域と基板との間のＰＮ接合が基板表面と交差するもの
    において、前記領域の周りを取り囲んで前記ＰＮ接合に
    対する破壊電圧印加時に形成される空乏層の到達位置に
    前記領域と同じ導電形の環状領域が設けられ、両領域に
    はそれぞれ両領域に接触し外周に向って延びそれぞれの
    領域の゛基板との間のＰＮ接合の表面との交線を絶縁層
    を介して越える導電部材が備えられることを特徴とする
    ブレーナ型半導体素子。
JP15230581U 1981-10-14 1981-10-14 プレ−ナ型半導体素子 Pending JPS5858360U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15230581U JPS5858360U (ja) 1981-10-14 1981-10-14 プレ−ナ型半導体素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15230581U JPS5858360U (ja) 1981-10-14 1981-10-14 プレ−ナ型半導体素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5858360U true JPS5858360U (ja) 1983-04-20

Family

ID=29944960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15230581U Pending JPS5858360U (ja) 1981-10-14 1981-10-14 プレ−ナ型半導体素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5858360U (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49115669A (ja) * 1973-03-07 1974-11-05
JPS5129879A (ja) * 1974-09-06 1976-03-13 Hitachi Ltd Handotaisochinoseizohoho
JPS57160159A (en) * 1981-03-28 1982-10-02 Toshiba Corp High breakdown voltage planar type semiconductor device
JPS5833868A (ja) * 1981-08-21 1983-02-28 Fujitsu Ltd 半導体素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49115669A (ja) * 1973-03-07 1974-11-05
JPS5129879A (ja) * 1974-09-06 1976-03-13 Hitachi Ltd Handotaisochinoseizohoho
JPS57160159A (en) * 1981-03-28 1982-10-02 Toshiba Corp High breakdown voltage planar type semiconductor device
JPS5833868A (ja) * 1981-08-21 1983-02-28 Fujitsu Ltd 半導体素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5858360U (ja) プレ−ナ型半導体素子
JPS60153548U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS60942U (ja) 半導体装置
JPS585358U (ja) 半導体装置
JPS606255U (ja) 半導体装置
JPH0316328U (ja)
JPS5926265U (ja) 半導体装置
JPS58168149U (ja) トランジスタ
JPS5860951U (ja) 半導体装置
JPS5866654U (ja) ガラスパツシベ−シヨン型半導体装置
JPS58180646U (ja) 電界効果トランジスタ
JPS58195455U (ja) バイポ−ラｉｃ
JPH0342124U (ja)
JPS59101449U (ja) 半導体装置
JPS5846461U (ja) 半導体集積回路装置
JPS6142863U (ja) Ｍｏｓ半導体装置
JPS60125748U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPH01113366U (ja)
JPS60116255U (ja) 半導体装置
JPS60146353U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS5866655U (ja) 半導体抵抗チツプ
JPS62104445U (ja)
JPS58124953U (ja) 半導体集積回路装置
JPS6139959U (ja) 半導体装置
JPS61162065U (ja)