JPS58195455U - バイポ−ラic - Google Patents

バイポ−ラic

Info

Publication number
JPS58195455U
JPS58195455U JP9399882U JP9399882U JPS58195455U JP S58195455 U JPS58195455 U JP S58195455U JP 9399882 U JP9399882 U JP 9399882U JP 9399882 U JP9399882 U JP 9399882U JP S58195455 U JPS58195455 U JP S58195455U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epitaxial layer
conductivity type
bipolar
annular region
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9399882U
Other languages
English (en)
Inventor
岩崎 楠也
Original Assignee
三洋電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP9399882U priority Critical patent/JPS58195455U/ja
Publication of JPS58195455U publication Critical patent/JPS58195455U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来のサージ対策を施した断面結線図゛、第2
図は本考案ICの断面結線図、第3図はその要部の上面
図、第4図は第2図の等価回路図であって、2はエピタ
キシャル層、4は電極パッド、5は島状領域、6は環状
領域、8はトランジスタ、9.10はダイオード、11
はベース抵抗、を夫々示している。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型半導体基板と、該基板表面に形成した逆導電型
    のエピタキシャル層と、該エピタキシャル層内に形成さ
    れたバイポーラ回路素子と、から成り、上記基板とエピ
    タキシャル層とに逆バイアス状態の電源を接続するバイ
    ポーラICに於て、′上記エピタキシャル層に一導電型
    の島領域を設け1、更にこの島領域内にリング状の逆電
    溝型の環状領域を形成し、この環状領域と該環状領域で
    囲まれる一導電型領域とを一括接続して信号の入出カラ
    インに接続した事を特徴とするバイポー9100
JP9399882U 1982-06-22 1982-06-22 バイポ−ラic Pending JPS58195455U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9399882U JPS58195455U (ja) 1982-06-22 1982-06-22 バイポ−ラic

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9399882U JPS58195455U (ja) 1982-06-22 1982-06-22 バイポ−ラic

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58195455U true JPS58195455U (ja) 1983-12-26

Family

ID=30225229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9399882U Pending JPS58195455U (ja) 1982-06-22 1982-06-22 バイポ−ラic

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58195455U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63190375A (ja) * 1986-09-30 1988-08-05 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 静電放電保護回路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5321838A (en) * 1976-08-13 1978-02-28 Sumitomo Cement Co Unit fence plate for assembled concrete fence and method of building lignt weight concrete fence using the same
JPS5851556A (ja) * 1981-09-24 1983-03-26 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5321838A (en) * 1976-08-13 1978-02-28 Sumitomo Cement Co Unit fence plate for assembled concrete fence and method of building lignt weight concrete fence using the same
JPS5851556A (ja) * 1981-09-24 1983-03-26 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63190375A (ja) * 1986-09-30 1988-08-05 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 静電放電保護回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58195455U (ja) バイポ−ラic
JPS5892744U (ja) 半導体素子
JPS5887363U (ja) 半導体装置
JPS5827936U (ja) 半導体装置
JPS645450U (ja)
JPS58168149U (ja) トランジスタ
JPS58195454U (ja) バイポ−ラic
JPS59119044U (ja) 半導体装置
JPH01113366U (ja)
JPS61102057U (ja)
JPS59180432U (ja) 半導体集積回路
JPS6384941U (ja)
JPS60174244U (ja) 混成集積回路
JPS60153548U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS6139959U (ja) 半導体装置
JPH01130534U (ja)
JPS606255U (ja) 半導体装置
JPS5974746U (ja) ダ−リントントランジスタ
JPS5858360U (ja) プレ−ナ型半導体素子
JPS5981046U (ja) ダ−リントントランジスタ
JPS59131156U (ja) 半導体集積回路
JPS5860951U (ja) 半導体装置
JPS59101449U (ja) 半導体装置
JPS6120063U (ja) 抵抗体内蔵半導体装置
JPS60144255U (ja) トランジスタ