JPS58195454U - バイポ−ラic - Google Patents

バイポ−ラic

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Publication number
JPS58195454U
JPS58195454U JP9399782U JP9399782U JPS58195454U JP S58195454 U JPS58195454 U JP S58195454U JP 9399782 U JP9399782 U JP 9399782U JP 9399782 U JP9399782 U JP 9399782U JP S58195454 U JPS58195454 U JP S58195454U
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JP
Japan
Prior art keywords
bipolar
epitaxial layer
conductivity type
separated
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9399782U
Other languages
English (en)
Inventor
岩崎 楠也
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP9399782U priority Critical patent/JPS58195454U/ja
Publication of JPS58195454U publication Critical patent/JPS58195454U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来のサージ対策を施した断面結線図、第2図
は本考案ICの断面結線図であって、1は基板、2−は
エピタキシャル層、2′は分離エピタキシャル領域、3
は抵抗体、4は電極パッド、5 。 ゛はP空領域、を夫々示している。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型半導体基板と、該基板表面に形成し、た逆導電
    型のエピタキシャル層と、該エピタキシャル層内に形成
    されたバイポーラ回路素子とから成り、上記基板とエピ
    タキシャル層とに逆バイアス状態の電源を接続するバイ
    ポーラICに於て、上記エピタキシャル層の一部を一導
    電型領域の形成に依って分離した状態として分離エピタ
    キシャル領域を得、該分離エピタキシャル領域を信号の
    入出カラインに接続した事を特徴とするバイポーラC0
JP9399782U 1982-06-22 1982-06-22 バイポ−ラic Pending JPS58195454U (ja)

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JP9399782U JPS58195454U (ja) 1982-06-22 1982-06-22 バイポ−ラic

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JP9399782U JPS58195454U (ja) 1982-06-22 1982-06-22 バイポ−ラic

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JPS58195454U true JPS58195454U (ja) 1983-12-26

Family

ID=30225227

Family Applications (1)

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JP9399782U Pending JPS58195454U (ja) 1982-06-22 1982-06-22 バイポ−ラic

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JP (1) JPS58195454U (ja)

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