JPS58195454U - バイポ−ラic - Google Patents
バイポ−ラicInfo
- Publication number
- JPS58195454U JPS58195454U JP9399782U JP9399782U JPS58195454U JP S58195454 U JPS58195454 U JP S58195454U JP 9399782 U JP9399782 U JP 9399782U JP 9399782 U JP9399782 U JP 9399782U JP S58195454 U JPS58195454 U JP S58195454U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bipolar
- epitaxial layer
- conductivity type
- separated
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来のサージ対策を施した断面結線図、第2図
は本考案ICの断面結線図であって、1は基板、2−は
エピタキシャル層、2′は分離エピタキシャル領域、3
は抵抗体、4は電極パッド、5 。 ゛はP空領域、を夫々示している。
は本考案ICの断面結線図であって、1は基板、2−は
エピタキシャル層、2′は分離エピタキシャル領域、3
は抵抗体、4は電極パッド、5 。 ゛はP空領域、を夫々示している。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板と、該基板表面に形成し、た逆導電
型のエピタキシャル層と、該エピタキシャル層内に形成
されたバイポーラ回路素子とから成り、上記基板とエピ
タキシャル層とに逆バイアス状態の電源を接続するバイ
ポーラICに於て、上記エピタキシャル層の一部を一導
電型領域の形成に依って分離した状態として分離エピタ
キシャル領域を得、該分離エピタキシャル領域を信号の
入出カラインに接続した事を特徴とするバイポーラC0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9399782U JPS58195454U (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | バイポ−ラic |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9399782U JPS58195454U (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | バイポ−ラic |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58195454U true JPS58195454U (ja) | 1983-12-26 |
Family
ID=30225227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9399782U Pending JPS58195454U (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | バイポ−ラic |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58195454U (ja) |
-
1982
- 1982-06-22 JP JP9399782U patent/JPS58195454U/ja active Pending
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