JPS58164251U - 半導体感温素子 - Google Patents

半導体感温素子

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Publication number
JPS58164251U
JPS58164251U JP6258982U JP6258982U JPS58164251U JP S58164251 U JPS58164251 U JP S58164251U JP 6258982 U JP6258982 U JP 6258982U JP 6258982 U JP6258982 U JP 6258982U JP S58164251 U JPS58164251 U JP S58164251U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
semiconductor temperature
sensing element
temperature sensing
stage
Prior art date
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Pending
Application number
JP6258982U
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English (en)
Inventor
並木　優幸
昌明 神谷
Original Assignee
セイコーインスツルメンツ株式会社
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のトランジスタ温度センサの断面図。第
２図は、従来のダーリントン接続温度センサの回路図。 第３図は、本考案による温度センサの断面図。第４図は
、本考案による温度センサの回路図。第５図は、本考案
による温度センサの平面図である。 ５・・・エミッタ電極、３・・・ベース電極、４・・・
コレクタ電極、７・・・Ｎ＋第２コレクタ領域、８，９
・・・Ｎ十エミッタ領域、１０．１１・・・Ｐ±分離拡
散領域、１２・・・Ｐ＋ベース分離領域、１３・・・Ｎ
＋コレクタ拡散領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板を共通のコレクタとし、ダーリン
    トン接続された少なくとも２個以上のトランジスタから
    なり、ダーリントン接続初段のトランジスタのベースを
    上記共通コレクタに接続して第１の電極となし、ダーリ
    ントン接続終段のトランジスタのエミッタを第２の電極
    とし、初段のトランジスタのトランジスタ以外のベース
    領域内で上記共通コレクタから分離して設けられたコレ
    クタ領域と上記ベース領域を接続した構造において、エ
    ミッタ部分を２つ以上に分離したことを特徴とする半導
    体感温素子。
JP6258982U 1982-04-28 1982-04-28 半導体感温素子 Pending JPS58164251U (ja)

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JP6258982U JPS58164251U (ja) 1982-04-28 1982-04-28 半導体感温素子

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JP6258982U JPS58164251U (ja) 1982-04-28 1982-04-28 半導体感温素子

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JPS58164251U true JPS58164251U (ja) 1983-11-01

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ID=30072737

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JP6258982U Pending JPS58164251U (ja) 1982-04-28 1982-04-28 半導体感温素子

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