JPS61102057U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61102057U JPS61102057U JP18608184U JP18608184U JPS61102057U JP S61102057 U JPS61102057 U JP S61102057U JP 18608184 U JP18608184 U JP 18608184U JP 18608184 U JP18608184 U JP 18608184U JP S61102057 U JPS61102057 U JP S61102057U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- emitter
- substrate
- substrate formed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の回路図、第２図は
従来装置の一例図、第３図は従来装置の特性図、
第４図は一実施例の断面図、第５図は本考案の信
号波形図、第６図は本考案の製造工程を示す一実
施例図である。 符号の説明、１……負荷、２……ｎチヤンネル
ＭＯＳトランジスタ、３……電源端子、４……入
力端子、５……バイポーラ・トランジスタ、６…
…抵抗、７……ＭＯＳトランジスタ、８……コン
デンサ、９……ツエナダイオード。
従来装置の一例図、第３図は従来装置の特性図、
第４図は一実施例の断面図、第５図は本考案の信
号波形図、第６図は本考案の製造工程を示す一実
施例図である。 符号の説明、１……負荷、２……ｎチヤンネル
ＭＯＳトランジスタ、３……電源端子、４……入
力端子、５……バイポーラ・トランジスタ、６…
…抵抗、７……ＭＯＳトランジスタ、８……コン
デンサ、９……ツエナダイオード。
Claims (1)
- 半導体基板中に形成された該基板と反対導電型
の領域中に形成された上記基板と同一導電型の一
対の領域をソース及びドレインとするＭＯＳトラ
ンジスタと、上記基板中に形成された該基板と反
対導電型の第１の領域をベースとし、該第１の領
域中に形成された上記基板と同一導電型の領域を
エミツタとし、上記基板をコレクタとするバイポ
ーラ・トランズスタと、該バイポーラ・トランジ
スタのエミツタと上記ＭＯＳトランジスタのドレ
インとの間に電気的に接続して形成された抵抗と
、上記バイポーラ・トランジスタのエミツタに電
気的に接続して形成されたコンデンサとを備えた
半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18608184U JPS61102057U (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18608184U JPS61102057U (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102057U true JPS61102057U (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=30743543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18608184U Pending JPS61102057U (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102057U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100317236B1 (ko) * | 1992-09-01 | 2002-07-18 | 마찌다 가쯔히꼬 | Mos전계효과트랜지스터 |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP18608184U patent/JPS61102057U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100317236B1 (ko) * | 1992-09-01 | 2002-07-18 | 마찌다 가쯔히꼬 | Mos전계효과트랜지스터 |
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