JPS62166648U - - Google Patents

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JPS62166648U
JPS62166648U JP5550886U JP5550886U JPS62166648U JP S62166648 U JPS62166648 U JP S62166648U JP 5550886 U JP5550886 U JP 5550886U JP 5550886 U JP5550886 U JP 5550886U JP S62166648 U JPS62166648 U JP S62166648U
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JP
Japan
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mos transistor
semiconductor substrate
conductivity type
semiconductor device
power supply
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案によるＣＭＯＳ半導体装置を説
明する断面図、第２図は本考案のラツチアツプ現
象を説明する等価回路図、第３図は本考案に用い
るモア電位発生回路を説明する回路図、第４図は
従来のＣＭＯＳ半導体装置を説明する上面図、第
５図は従来のラツチアツプの動作を説明する断面
図である。 １は半導体基板、５はＰチヤンネルＭＯＳトラ
ンジスタ、６はウエル領域、１０はＮチヤンネル
ＭＯＳトランジスタ、１１はＮ＋型コンタクト領
域、１３は寄生ＰＮＰトランジスタ、１４は寄生
ＮＰＮトランジスタである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と逆導電型のウエル領域
    と前記半導体基板表面に形成した一導電チヤンネ
    ルのＭＯＳトランジスタと前記ウエル領域に形成
    した逆導電チヤンネルのＭＯＳトランジスタとを
    具備するＣＭＯＳ半導体装置において、前記一導
    電チヤンネルのＭＯＳトランジスタのソース領域
    に電源電圧を印加し、前記半導体基板上に設けた
    一導電型のコンタクト領域に電源電圧より高い電
    圧を印加することを特徴とするＣＭＯＳ半導体装
    置。
JP5550886U 1986-04-14 1986-04-14 Pending JPS62166648U (ja)

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JP5550886U JPS62166648U (ja) 1986-04-14 1986-04-14

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JP5550886U JPS62166648U (ja) 1986-04-14 1986-04-14

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JPS62166648U true JPS62166648U (ja) 1987-10-22

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ID=30883463

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JP5550886U Pending JPS62166648U (ja) 1986-04-14 1986-04-14

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