JPH0338638U - - Google Patents

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JPH0338638U
JPH0338638U JP9850389U JP9850389U JPH0338638U JP H0338638 U JPH0338638 U JP H0338638U JP 9850389 U JP9850389 U JP 9850389U JP 9850389 U JP9850389 U JP 9850389U JP H0338638 U JPH0338638 U JP H0338638U
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semiconductor isolation
base
semiconductor
insulating film
island
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JP9850389U
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  • Element Separation (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本考案装置の実施例を示す
もので、第１図は断面図、第２図は製造工程図で
あり、第３図は従来装置の製造工程図である。 １０１…Ｎ＋半導体基板、１０２…Ｎ型エピタ
キシヤル層、１０７…分離絶縁膜、１０８…ガラ
ス層、１１０…深い分離島、１１１…浅い分離島
、Ａ…パワーＭＯＳ ＦＥＴ、Ｂ…低耐圧ＣＭＯ
Ｓトランジスタ、Ｃ…低耐圧バイポーラトランジ
スタ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 基体表面部において、絶縁膜により分離された
    浅い半導体分離島と、 上記基体内において、上記絶縁膜により分離さ
    れ、上記基体の表面及び裏面に露出面を有する複
    数の深い半導体分離島と、 上記複数の深い半導体分離島上に形成された大
    電力又は高耐圧のパワーデバイスと、 上記浅い半導体分離島上に形成され、上記パワ
    ーデバイスを制御するロジツクデバイスとを具備
    したことを特徴とする半導体装置。
JP9850389U 1989-08-25 1989-08-25 Pending JPH0338638U (ja)

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