JPH0415235U - - Google Patents

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JPH0415235U
JPH0415235U JP5613390U JP5613390U JPH0415235U JP H0415235 U JPH0415235 U JP H0415235U JP 5613390 U JP5613390 U JP 5613390U JP 5613390 U JP5613390 U JP 5613390U JP H0415235 U JPH0415235 U JP H0415235U
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transistor
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integrated circuit
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JP5613390U
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【図面の簡単な説明】
第1図と第2図は夫々本考案を説明するための
平面図とAA線断面図、第3図と第4図は夫々従
来例を説明するための回路図と平面図である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 1つのアイランドの表面に形成した一導電
    型のエミツタ領域、及び前記エミツタ領域を取り
    囲む一導電型のコレクタ領域から成るトランジス
    タを具備する半導体集積回路において、 前記エミツタ領域の表面に逆導電型のカソード
    領域を設け、電極を前記カソード領域の表面にコ
    ンタクトさせることにより、前記エミツタ領域を
    アノードとする接合ダイオードを前記トランジス
    タと一体化したことを特徴とする半導体集積回路
    。 (2) 前記トランジスタは横型PNPトランジス
    タであることを特徴とする請求項第1項に記載の
    半導体集積回路。 (3) 前記カソード領域をコレクタ、前記エミツ
    タ領域をベース、前記アイランドをエミツタとす
    る逆方向の寄生NPNトランジスタのエミツタ・
    コレクタ間電圧VCEOが、前記接合ダイオード
    のツエナー電圧より大となるようにしたことを特
    徴とする請求項第1項に記載の半導体集積回路。
JP5613390U 1990-05-28 1990-05-28 Pending JPH0415235U (ja)

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JPH0415235U true JPH0415235U (ja) 1992-02-06

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