JPS5974746U - ダ−リントントランジスタ - Google Patents

ダ−リントントランジスタ

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Publication number
JPS5974746U
JPS5974746U JP17095182U JP17095182U JPS5974746U JP S5974746 U JPS5974746 U JP S5974746U JP 17095182 U JP17095182 U JP 17095182U JP 17095182 U JP17095182 U JP 17095182U JP S5974746 U JPS5974746 U JP S5974746U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
base
transistor
conductivity type
high concentration
Prior art date
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Granted
Application number
JP17095182U
Other languages
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JPH0414929Y2 (ja
Inventor
田中　忠彦
田頭　一夫
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP17095182U priority Critical patent/JPS5974746U/ja
Publication of JPS5974746U publication Critical patent/JPS5974746U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は等節回略図
、第３図は本考案を説明する断面図である。 主な図番の説明、２１は半導体基板、２２゜２３は第１
のトランジスタ３７を構成する第１ベースおよびエミッ
タ領域、２４．２５は第２のトランジスタ３８を構成す
る第２ベースおよびエミッタ領域、２６．２７は第１お
よび第２のツェナーダイオード、３１はＮ型高濃度領域
、３２はＰ＋型高濃度領域である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 共通コレクタ領域となる一導電型の半導体基板と、第１
    のトランジスタを構成する前記基板表面に設けられた第
    １ベースおよびエミッタ領域と、前記第１のトランジス
    タに隣接し第２のトランジスタを構成する前記基板表面
    に設けられた第２ベースおよびエミッタ領域と、前記基
    板表面に設けられた一導電型の高濃度領域と前記第１お
    よび第２ベース領域表面上を延在する逆導電型の高濃度
    領域とて形成される第１および第２のツェナーダイオー
    ドと、前記第１エミツタ領域と第２ベース領域を接続す
    る接続電極とを具備するダーリントントランジスタに於
    いて、前記第１のツェナーダイオードの前記逆導電型の
    高濃度領域を前記第１のベース領域で終端させて前記第
    ２のツェナーダイオードのツェナー電圧より低くするこ
    とを特徴とするダーリントントランジスタ。
JP17095182U 1982-11-10 1982-11-10 ダ−リントントランジスタ Granted JPS5974746U (ja)

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JP17095182U JPS5974746U (ja) 1982-11-10 1982-11-10 ダ−リントントランジスタ

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JP17095182U JPS5974746U (ja) 1982-11-10 1982-11-10 ダ−リントントランジスタ

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Publication Number Publication Date
JPS5974746U true JPS5974746U (ja) 1984-05-21
JPH0414929Y2 JPH0414929Y2 (ja) 1992-04-03

Family

ID=30373048

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JP17095182U Granted JPS5974746U (ja) 1982-11-10 1982-11-10 ダ−リントントランジスタ

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