JPS58150851U - トランジスタ - Google Patents

トランジスタ

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Publication number
JPS58150851U
JPS58150851U JP4778782U JP4778782U JPS58150851U JP S58150851 U JPS58150851 U JP S58150851U JP 4778782 U JP4778782 U JP 4778782U JP 4778782 U JP4778782 U JP 4778782U JP S58150851 U JPS58150851 U JP S58150851U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
transistor
buried
collector
Prior art date
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Pending
Application number
JP4778782U
Other languages
English (en)
Inventor
松香　光信
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP4778782U priority Critical patent/JPS58150851U/ja
Publication of JPS58150851U publication Critical patent/JPS58150851U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のラテラル型トランジスタの断面図、第２
図はこの考案の一実施例のラテラル型トランジスタの断
面図である。　　　 １・・・・・・Ｐ型サブストレート領域、３・・・・・
・Ｎ−型ベース領域、４・・・・・・Ｎ十型埋込領域、
５・・・・・・Ｐ型ベース領域、６・・・・・・Ｐ型ベ
ース領域、１２・・・・・・Ｐ型埋込エミッタ領域、１
３・・・・・・Ｐ型埋込コレクタ領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型のサブストレート領域と、反対導電型の埋込領
    域と、反対導電型の低不純物濃度のベース領域と、ベー
    ス領域内に選択的に形成された一導電型のエミッタ領域
    およびコレクタ領域とを備えるトランジスタにおいて、
    前記エミッタ領域およびコレクタ領域を前記埋込領域と
    連続させて形成したことを特徴とするトランジスタ。
JP4778782U 1982-03-31 1982-03-31 トランジスタ Pending JPS58150851U (ja)

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JP4778782U JPS58150851U (ja) 1982-03-31 1982-03-31 トランジスタ

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4778782U JPS58150851U (ja) 1982-03-31 1982-03-31 トランジスタ

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Publication Number Publication Date
JPS58150851U true JPS58150851U (ja) 1983-10-08

Family

ID=30058736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4778782U Pending JPS58150851U (ja) 1982-03-31 1982-03-31 トランジスタ

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JP (1) JPS58150851U (ja)

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