JPS60125750U - 半導体スイツチング素子 - Google Patents

半導体スイツチング素子

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Publication number
JPS60125750U
JPS60125750U JP1340584U JP1340584U JPS60125750U JP S60125750 U JPS60125750 U JP S60125750U JP 1340584 U JP1340584 U JP 1340584U JP 1340584 U JP1340584 U JP 1340584U JP S60125750 U JPS60125750 U JP S60125750U
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JP
Japan
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region
conductivity type
island
semiconductor switching
island region
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Pending
Application number
JP1340584U
Other languages
English (en)
Inventor
哲郎 浅野
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はＰＮＰＮ構造の半導体スイッチング素子の等価
回路図、第２図は従来の半導体集積回路に組み込まれた
半導体スイッチング素子の断面図、第３図は本考案の半
導体スイッチング素子を説明する断面図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２はエピタキシ
ャル層、１４は島領域、１５は第１埋込層、１６は第２
埋込層、１７は第１領域、１８は第２領域である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と該基板上に設けた逆導電型のエ
    ピタキシャル層と一導電型の分離領域により前記エピタ
    キシャル層を電気的に分離して形成した島領域とを具備
    し、該島領域底面に逆導電型の第１埋込層と一導電型の
    第２埋込層を順次設け、前記島領域表面に一導電型の第
    １領域を設け、該第１領域を取り囲み且つ前記第２埋込
    層まで達する一導電型の第２預域を設け、前記第１領域
    と前記島領域の第２領域の外側の前記エピタキシャル層
    との間にＰＮＰＮ構造を形成して成る半導体スイッチン
    グ素子。
JP1340584U 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子 Pending JPS60125750U (ja)

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JP1340584U JPS60125750U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子

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JPS60125750U true JPS60125750U (ja) 1985-08-24

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ID=30497381

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JP1340584U Pending JPS60125750U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子

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