JPS58135964U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58135964U
JPS58135964U JP3335482U JP3335482U JPS58135964U JP S58135964 U JPS58135964 U JP S58135964U JP 3335482 U JP3335482 U JP 3335482U JP 3335482 U JP3335482 U JP 3335482U JP S58135964 U JPS58135964 U JP S58135964U
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semiconductor
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JP3335482U
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芳岡　勇行
田辺　光一
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日本電気株式会社
日本電気アイシ−マイコンシステム株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａは従来の半導体集積回路装置の拡散抵抗附近の
断面図、第１図すはその平面図、第２図ａは本考案の一
実施例を示す断面図、第２図すはその平面図である。 １・・・・・・Ｐ型サブストレート（基板）、２・・・
・・・Ｎ型エピタキシャル層、３・・・・・・Ｐ型拡散
抵抗、４・・・・・・Ｎ十埋込層、５・・・・・・酸化
ケイ素膜、６，１０゜１６・・・・・・コンタクト、７
．１１・・・・・・金属配線、８゜１２・・・・・・ボ
ンディング線、９・・・・・・高濃度Ｎ拡散層、１３．
１４．１７・・・・・・静電気破壊経路、１５゜１５′
・・・・・・Ｐ型拡散層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体層に形成された他導電型の抵抗領域を
    有し、該半導体層および該抵抗層に電圧を供給するため
    のコンタクトがそれぞれ設けられている半導体装置にお
    いて、これら二つのコンタクトの間に他導電型の半導体
    領域を設け、該半導体領域と前記抵抗領域のコンタクト
    を短絡することを特徴とする半導体装置。
JP3335482U 1982-03-10 1982-03-10 半導体装置 Granted JPS58135964U (ja)

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JP3335482U JPS58135964U (ja) 1982-03-10 1982-03-10 半導体装置

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JP3335482U JPS58135964U (ja) 1982-03-10 1982-03-10 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS58135964U true JPS58135964U (ja) 1983-09-13
JPH0110937Y2 JPH0110937Y2 (ja) 1989-03-29

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JPH0110937Y2 (ja) 1989-03-29

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