JPS6112691Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6112691Y2 JPS6112691Y2 JP1977014663U JP1466377U JPS6112691Y2 JP S6112691 Y2 JPS6112691 Y2 JP S6112691Y2 JP 1977014663 U JP1977014663 U JP 1977014663U JP 1466377 U JP1466377 U JP 1466377U JP S6112691 Y2 JPS6112691 Y2 JP S6112691Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- ohmic contact
- resistance region
- region
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は耐静電破壊特性を有する半導体装置、
特に半導体抵抗素子に関するものである。
特に半導体抵抗素子に関するものである。
半導体集積回路（以下ICと記す）の各リード
には作業条件あるいは周囲温度、湿度により数
KV以上の電圧が帯電により印加されることがよ
くある。ICに使用されている抵抗体において
は、高信頼度化が要求され特に入力端子に使用さ
れる抵抗は耐静電破壊特性を有する必要がある。
には作業条件あるいは周囲温度、湿度により数
KV以上の電圧が帯電により印加されることがよ
くある。ICに使用されている抵抗体において
は、高信頼度化が要求され特に入力端子に使用さ
れる抵抗は耐静電破壊特性を有する必要がある。
第１図は従来の半導体抵抗素子の１例の断面斜
視図であつて、１は所定の導電型を呈する半導体
基板、２はシリコン酸化膜、３は１と反対の導電
型を呈する不純物が注入された抵抗素子領域、４
は基板１と抵抗素子領域との間のPN接合、５は
オーミツクコンタクトである。
視図であつて、１は所定の導電型を呈する半導体
基板、２はシリコン酸化膜、３は１と反対の導電
型を呈する不純物が注入された抵抗素子領域、４
は基板１と抵抗素子領域との間のPN接合、５は
オーミツクコンタクトである。
第２図は第１図の半導体抵抗素子の静電破壊を
説明する図である。
説明する図である。
上記構造の抵抗素子においては、上記半導体基
板１とオーミツクコンタクト５との間に静電によ
る強電界が印加され、その電界が半導体基板１と
抵抗領域３と間の接合４を逆方向に印加する場合
にオーミツクコンタクト５と上記接合４との間で
静電破壊を生じやすい。特にオーミツクコンタク
ト５の角の部分６に電界の集中が起こりやすく、
ＡあるいはＢの経路による静電破壊を生じやすい
欠点があつた。
板１とオーミツクコンタクト５との間に静電によ
る強電界が印加され、その電界が半導体基板１と
抵抗領域３と間の接合４を逆方向に印加する場合
にオーミツクコンタクト５と上記接合４との間で
静電破壊を生じやすい。特にオーミツクコンタク
ト５の角の部分６に電界の集中が起こりやすく、
ＡあるいはＢの経路による静電破壊を生じやすい
欠点があつた。
本考案は上記欠点を除き、静電破壊の少ない半
導体素子を提供すものである。
導体素子を提供すものである。
本発明は、一導電型の半導体基板に該基板と反
対導電型の不純物層を設けてなる半導体抵抗素子
において、前記不純物層と基板との間に形成する
PN接合のうち、オーミツク・コンタクトに寄与
する部分のPN接合からオーミツク・コンタクト
周縁までの距離が等しいことを特徴とする。
対導電型の不純物層を設けてなる半導体抵抗素子
において、前記不純物層と基板との間に形成する
PN接合のうち、オーミツク・コンタクトに寄与
する部分のPN接合からオーミツク・コンタクト
周縁までの距離が等しいことを特徴とする。
本考案を実施例により説明する。
第３図は本考案の１実施例の半導体抵抗素子の
部分平面図である。
部分平面図である。
抵抗素子領域３３のオーミツク・コンタクト３
５は端部に設けられる。そのため半導体基板と抵
抗素子領域との間に形成されるPN接合３４のう
ち、オーミツク・コンタクトに寄与する部分は円
形に形成される。オーミツク・コンタクト１５は
この円形のPN接合に対し同心円にかつPN接合の
円よりも小さい円に形成される。このように抵抗
素子領域のオーミツク・コンタクトに寄与する部
分のPN接合からオーミツク・コンタクト周縁ま
での距離は等間隔であり、かつ角張つた部分がな
い。従つて、電界の集中が起らず、静電破壊を防
止することができる。
５は端部に設けられる。そのため半導体基板と抵
抗素子領域との間に形成されるPN接合３４のう
ち、オーミツク・コンタクトに寄与する部分は円
形に形成される。オーミツク・コンタクト１５は
この円形のPN接合に対し同心円にかつPN接合の
円よりも小さい円に形成される。このように抵抗
素子領域のオーミツク・コンタクトに寄与する部
分のPN接合からオーミツク・コンタクト周縁ま
での距離は等間隔であり、かつ角張つた部分がな
い。従つて、電界の集中が起らず、静電破壊を防
止することができる。
本考案の抵抗素子には種々の変形が可能であ
る。
る。
第４図乃至第６図は本考案の他の実施例の半導
体抵抗素子の部分平面図であつて、４３，５３，
６３は抵抗素子領域、４４，５４，６４はPN接
合、４５，５５，６５はオーミツク・コンタクト
である。
体抵抗素子の部分平面図であつて、４３，５３，
６３は抵抗素子領域、４４，５４，６４はPN接
合、４５，５５，６５はオーミツク・コンタクト
である。
第４図は抵抗素子領域４３の中間にオーミツ
ク・コンタクト４５がある場合、第５図は抵抗素
子領域５３の曲がつている部分にオーミツク・コ
ンタクト５５がある場合で、すべてオーミツク・
コンタクトを円形（あるいは長円形）として抵抗
素子領域のオーミツク・コンタクトに寄与する部
分のPN接合からオーミツク・コンタクト周縁ま
での距離を等間隔にしている。第６図は抵抗素子
領域の両コンタクト間に静電による強電界が印加
される場合においても電界の集中が起きずに、耐
静電破壊特性を向上させることができるような形
状にしたものである。
ク・コンタクト４５がある場合、第５図は抵抗素
子領域５３の曲がつている部分にオーミツク・コ
ンタクト５５がある場合で、すべてオーミツク・
コンタクトを円形（あるいは長円形）として抵抗
素子領域のオーミツク・コンタクトに寄与する部
分のPN接合からオーミツク・コンタクト周縁ま
での距離を等間隔にしている。第６図は抵抗素子
領域の両コンタクト間に静電による強電界が印加
される場合においても電界の集中が起きずに、耐
静電破壊特性を向上させることができるような形
状にしたものである。
特に、第６図で示したオーミツク・コンタクト
６５は、角部をもたないような形状に形成されて
はいるが、直線的部分を有し、かつこの直線的部
分は抵抗素子領域６３の抵抗成分を呈する領域部
分と面している。したがつて、第６図で示した抵
抗素子の抵抗値の設計値からのバラツキは、第３
図乃至第５図で示した抵抗素子の抵抗値の設計値
からのバラツキに比して非常に小さくなり、耐静
電破壊特性も向上される。すなわち、抵抗素子の
抵抗値は、抵抗成分を呈する領域部分のほかに、
導電体とのオーミツクコンタクト領域部分の形状
も寄与し、このため第３図乃至第５図のように、
オーミツクコンタクトの湾曲部分が抵抗成分を呈
する領域部分と面すると、湾曲しているが故に抵
抗値の設計が困難になり、バラツキが大きくな
る。第６図で示した抵抗素子では、オーミツクコ
ンタクト６５の直線的部分が抵抗成分を呈する領
域部分と面するため、オーミツクコンタクト部分
での抵抗値の設計値からバラツキが小さくなる。
６５は、角部をもたないような形状に形成されて
はいるが、直線的部分を有し、かつこの直線的部
分は抵抗素子領域６３の抵抗成分を呈する領域部
分と面している。したがつて、第６図で示した抵
抗素子の抵抗値の設計値からのバラツキは、第３
図乃至第５図で示した抵抗素子の抵抗値の設計値
からのバラツキに比して非常に小さくなり、耐静
電破壊特性も向上される。すなわち、抵抗素子の
抵抗値は、抵抗成分を呈する領域部分のほかに、
導電体とのオーミツクコンタクト領域部分の形状
も寄与し、このため第３図乃至第５図のように、
オーミツクコンタクトの湾曲部分が抵抗成分を呈
する領域部分と面すると、湾曲しているが故に抵
抗値の設計が困難になり、バラツキが大きくな
る。第６図で示した抵抗素子では、オーミツクコ
ンタクト６５の直線的部分が抵抗成分を呈する領
域部分と面するため、オーミツクコンタクト部分
での抵抗値の設計値からバラツキが小さくなる。
以上詳細に説明したように本考案によれば、静
電による電界の集中を防止でき、耐静電破壊特性
を向上することができる半導体抵抗素子を得るこ
とができる。
電による電界の集中を防止でき、耐静電破壊特性
を向上することができる半導体抵抗素子を得るこ
とができる。
第１図は従来の半導体抵抗素子の１例の断面斜
視図、第２図は第１図の半導体抵抗素子の静電破
壊を説明する図、第３図は本考案の１実施例の半
導体抵抗素子の部分平面図、第４図乃至第６図は
本考案の他の実施例の半導体抵抗素子の部分平面
図である。 １……半導体基板、２……シリコン酸化膜、
３，３３，４３，５３，６３……抵抗素子領域、
４，３４，４４，５４，６４……PN接合、５，
３５，４５，５５，６５……オーミツク・コンタ
クト、６……オーミツク・コンタクトの角の部
分。
視図、第２図は第１図の半導体抵抗素子の静電破
壊を説明する図、第３図は本考案の１実施例の半
導体抵抗素子の部分平面図、第４図乃至第６図は
本考案の他の実施例の半導体抵抗素子の部分平面
図である。 １……半導体基板、２……シリコン酸化膜、
３，３３，４３，５３，６３……抵抗素子領域、
４，３４，４４，５４，６４……PN接合、５，
３５，４５，５５，６５……オーミツク・コンタ
クト、６……オーミツク・コンタクトの角の部
分。
Claims (1)
- 抵抗成分を呈する第１の部分および電極取り出
し領域となる第２の部分を有する抵抗領域と、こ
の抵抗領域を覆う絶縁膜と、この絶縁膜に設けら
れ前記抵抗領域の前記第２の部分の一部を露出す
るコンタクト穴とを有し、前記コンタクト穴はそ
の平面形状に角部を含まず且つその平面形状に直
線部分を有し、この直線部分は前記抵抗領域の前
記第１の部分に面し、さらに前記抵抗領域の前記
第２の部分の区画するPN接合は前記コンタクト
穴を平面的にみてほぼ等間隔に取り囲んでいるこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977014663U JPS6112691Y2 (ja) | 1977-02-08 | 1977-02-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977014663U JPS6112691Y2 (ja) | 1977-02-08 | 1977-02-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53108878U JPS53108878U (ja) | 1978-08-31 |
| JPS6112691Y2 true JPS6112691Y2 (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=28834984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977014663U Expired JPS6112691Y2 (ja) | 1977-02-08 | 1977-02-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6112691Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3714647C2 (de) * | 1987-05-02 | 1993-10-07 | Telefunken Microelectron | Integrierte Schaltungsanordnung |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831384A (ja) * | 1971-08-28 | 1973-04-24 |
-
1977
- 1977-02-08 JP JP1977014663U patent/JPS6112691Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831384A (ja) * | 1971-08-28 | 1973-04-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53108878U (ja) | 1978-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0324791B2 (ja) | ||
| EP0338516A2 (en) | Power MOSFET having a current sensing element of high accuracy | |
| US4660065A (en) | Hall effect device with surface potential shielding layer | |
| JP3131974B2 (ja) | 高電圧スパイラル抵抗器 | |
| JPH06105783B2 (ja) | 主電流部とエミュレ−ション電流部を有する電力用半導体素子 | |
| US4000507A (en) | Semiconductor device having two annular electrodes | |
| JPH0324788B2 (ja) | ||
| JPS6112691Y2 (ja) | ||
| US3755722A (en) | Resistor isolation for double mesa transistors | |
| EP0162165A2 (en) | A Hall effect device and method for fabricating such a device | |
| JPS6348192B2 (ja) | ||
| US5466959A (en) | Semiconductor device for influencing the breakdown voltage of transistors | |
| JPH0110937Y2 (ja) | ||
| JPH01214055A (ja) | 静電破壊保護装置 | |
| JPS64824B2 (ja) | ||
| JPH02268462A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2522350B2 (ja) | 半導体集積回路の保護装置 | |
| JPH069208B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6348190B2 (ja) | ||
| JPS61502087A (ja) | モノリシツクに集積されたプレ−ナ半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2881907B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JPS5879749A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP3128958B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6355871B2 (ja) | ||
| JPH03154374A (ja) | 集積回路の入力端保護回路 |