JPH02268462A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02268462A JPH02268462A JP8983689A JP8983689A JPH02268462A JP H02268462 A JPH02268462 A JP H02268462A JP 8983689 A JP8983689 A JP 8983689A JP 8983689 A JP8983689 A JP 8983689A JP H02268462 A JPH02268462 A JP H02268462A
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- resistor
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- silicon substrate
- polycrystalline silicon
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は温度変化に対する抵抗値の変化が少ない半導体
装置に関する。
装置に関する。
（従来の技術）
半導体集積回路中の抵抗は、例えば、シリコン基板中に
不純物を拡散させて形成したり、或いは多結晶シリコン
中に不純物をドープして形成している。
不純物を拡散させて形成したり、或いは多結晶シリコン
中に不純物をドープして形成している。
第３図（ａ）はシリコン基板中に不純物を拡散した場合
、（ｂ）は多結晶シリコン中に不純物をドープして抵抗
を形成した場合の夫々の断面図を示す（ａ）図において
、１はシリコン基板で、２はこのシリコン基板中に不純
物を拡散して生成された抵抗（領域）、３は接続膜とし
ての二酸化シリコン膜、４は前記抵抗と結合されたアル
ミ電極である。
、（ｂ）は多結晶シリコン中に不純物をドープして抵抗
を形成した場合の夫々の断面図を示す（ａ）図において
、１はシリコン基板で、２はこのシリコン基板中に不純
物を拡散して生成された抵抗（領域）、３は接続膜とし
ての二酸化シリコン膜、４は前記抵抗と結合されたアル
ミ電極である。
また、（ｂ）図において５は多結晶シリコンで、そこに
不純物がドープされ抵抗（領域）が生成される。その他
数字記号は（ａ）図と同じ素子部材である。
不純物がドープされ抵抗（領域）が生成される。その他
数字記号は（ａ）図と同じ素子部材である。
（発明が解決しようとする課題）
上記第３図（、）の場合、シリコン基板中の抵抗は温度
が上昇すると抵抗値は大きくなる特性を示し、また（ｂ
）の場合、温度が上昇すると抵抗値は小さくなる特性を
示し、何れも温度変化に対し抵抗値が変動し、半導体集
積回路の構成上、大きな制約があった。
が上昇すると抵抗値は大きくなる特性を示し、また（ｂ
）の場合、温度が上昇すると抵抗値は小さくなる特性を
示し、何れも温度変化に対し抵抗値が変動し、半導体集
積回路の構成上、大きな制約があった。
本発明は上記のような温度変化による抵抗値の変化を大
幅に低減した半導体装置をうることを目的とする。
幅に低減した半導体装置をうることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するため、シリコン基板中に不
純物拡散によって形成した抵抗と、多結晶シリコン中に
不純物をドープして形成した抵抗を直列または並列に接
続したことを特徴とする。
純物拡散によって形成した抵抗と、多結晶シリコン中に
不純物をドープして形成した抵抗を直列または並列に接
続したことを特徴とする。
（作 用）
上記のように抵抗を形成したことにより、シリコン基板
中に不純物を拡散して形成した抵抗は、温度が」二昇す
ると抵抗値を大きくなる特性を示すが、多結晶シリコン
中に不純物をドープして形成した抵抗は、前者と逆に温
度上昇にともなって抵抗値は小さくなる。したがって１
両抵抗を直列または並列に接続することにより、温度変
化による抵抗値の増減が非常に小さい抵抗を形成するこ
とができる。
中に不純物を拡散して形成した抵抗は、温度が」二昇す
ると抵抗値を大きくなる特性を示すが、多結晶シリコン
中に不純物をドープして形成した抵抗は、前者と逆に温
度上昇にともなって抵抗値は小さくなる。したがって１
両抵抗を直列または並列に接続することにより、温度変
化による抵抗値の増減が非常に小さい抵抗を形成するこ
とができる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例による抵抗部分の構造を示す
の平面図（ａ）及びその断面図（ｂ）を示す。
の平面図（ａ）及びその断面図（ｂ）を示す。
図から分るようにシリコン基板１中に不純物拡散によっ
て形成した抵抗２と、多結晶シリコン５中に不純物にド
ープして形成した抵抗を、アルミ電極４で直列または並
列に接続す名よう構成する。
て形成した抵抗２と、多結晶シリコン５中に不純物にド
ープして形成した抵抗を、アルミ電極４で直列または並
列に接続す名よう構成する。
なお、図の６はアルミ電極４のコンタクト窓を示す。
第２図（ａ）は本発明を電流検出機能付ＭＯ８ＦＥＴに
実施した場合の等価回路を示し、同図（ｂ）及び（Ｃ）
は夫々（ａ）に用いたシリコン基板１中の抵抗２（Ｒａ
）と、多結晶シリコン５中の抵抗（Ｒｅ）を示す断面図
であって、（ｂ）図において、７はＰ型分離層である。
実施した場合の等価回路を示し、同図（ｂ）及び（Ｃ）
は夫々（ａ）に用いたシリコン基板１中の抵抗２（Ｒａ
）と、多結晶シリコン５中の抵抗（Ｒｅ）を示す断面図
であって、（ｂ）図において、７はＰ型分離層である。
第２図（ａ）に示す等価回路は、（ｂ）図に抵抗Ｒｂと
（ｃ）ｒｉ４の抵抗Ｒｅを電圧検出端子２ｏとソース端
子２１の間に直列接続した例を示すが、両抵抗Ｒｈ。
（ｃ）ｒｉ４の抵抗Ｒｅを電圧検出端子２ｏとソース端
子２１の間に直列接続した例を示すが、両抵抗Ｒｈ。
Ｒｅを並列接続してもよい、ここで、電流検出用ＭＯ８
ＦＥＴ２２と本体ＭＯ８ＦＥＴ２３は同様な構造で、両
Ｆ１１ＥＴ２２．２３を流れる電流は、ある比率をもっ
ている。したがって、電流検出用ＭＯ８ＦＥＴ２２を流
れた電流を上記抵抗Ｒｈ、Ｒｅ間に発生する電圧として
両端子２０．２１間に検知することが出来、両Ｆ Ｅ
Ｔ２２．２３の電流比が決まっていることがらＦＥＴ２
３を流れる電流を検知できるようなっている。このよう
な等価回路において、素子の温度が変化すると、従来の
構造では抵抗値が変化し検出誤差が発生するが１本発明
による抵抗を用いると温度変化による抵抗値の増減が非
常に小さいので、検出誤差が発生しなくなる。
ＦＥＴ２２と本体ＭＯ８ＦＥＴ２３は同様な構造で、両
Ｆ１１ＥＴ２２．２３を流れる電流は、ある比率をもっ
ている。したがって、電流検出用ＭＯ８ＦＥＴ２２を流
れた電流を上記抵抗Ｒｈ、Ｒｅ間に発生する電圧として
両端子２０．２１間に検知することが出来、両Ｆ Ｅ
Ｔ２２．２３の電流比が決まっていることがらＦＥＴ２
３を流れる電流を検知できるようなっている。このよう
な等価回路において、素子の温度が変化すると、従来の
構造では抵抗値が変化し検出誤差が発生するが１本発明
による抵抗を用いると温度変化による抵抗値の増減が非
常に小さいので、検出誤差が発生しなくなる。
なお、シリコン基板１中に形成した抵抗２と、多結晶シ
リコン５による抵抗は、共に燐のイオン注入（加速電圧
５０ｋｅＶ、注入量３Ｘ１０１″ａｍ−”）で形成した
。また、（ａ）図の２４はゲート端子、２５はドレイン
端子を示す。
リコン５による抵抗は、共に燐のイオン注入（加速電圧
５０ｋｅＶ、注入量３Ｘ１０１″ａｍ−”）で形成した
。また、（ａ）図の２４はゲート端子、２５はドレイン
端子を示す。
（発明の効果）
以上説明したように本発明はシリコン基板中の抵抗及び
多結晶シリコン中の抵抗を直列または並列接続し１両抵
抗の温度変化に対する抵抗値の逆特性を利用して、温度
変化による抵抗値の増減を小さくできる。したがって、
これを例えば電流検出機能付ＭＯ３ＦＥＴに利用すると
、温度変化による検出誤差がなく、安定な検出を行なう
ことができる。
多結晶シリコン中の抵抗を直列または並列接続し１両抵
抗の温度変化に対する抵抗値の逆特性を利用して、温度
変化による抵抗値の増減を小さくできる。したがって、
これを例えば電流検出機能付ＭＯ３ＦＥＴに利用すると
、温度変化による検出誤差がなく、安定な検出を行なう
ことができる。
第１図は本発明の一実施例による抵抗部分の構造を示す
平面図（ａ）及びその断面図（ｂ）、第２図は本発明を
電流検出機能付ＭＯ８ＦＥＴに実施した場合の等価回路
（ａ）、シリコン基板中の抵抗を示す断面図（ｂ）、多
結晶シリコン中の抵抗を示す断面図（ｅ）、第３図は従
来のシリコン基板中の抵抗を示す断面図（ａ）及び多結
晶シリコン中の抵抗を示す断面図（ｂ）である。 １ ・・・シリコン基板、 ２・・・シリコン基板中に
不純物を拡散した抵抗（領域）、３ ・・・二酸化シリ
コン膜、 ４ ・・・アルミ電極、 ５ ・・・多結晶
シリコン（不純物をドープして形成した領域の抵抗）、
６・・・コンタクト窓、 ７・・・Ｐ型分離層。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 ア只電極 第 図 （ａ） 第 図 （ｂ） 忙） 第 図
平面図（ａ）及びその断面図（ｂ）、第２図は本発明を
電流検出機能付ＭＯ８ＦＥＴに実施した場合の等価回路
（ａ）、シリコン基板中の抵抗を示す断面図（ｂ）、多
結晶シリコン中の抵抗を示す断面図（ｅ）、第３図は従
来のシリコン基板中の抵抗を示す断面図（ａ）及び多結
晶シリコン中の抵抗を示す断面図（ｂ）である。 １ ・・・シリコン基板、 ２・・・シリコン基板中に
不純物を拡散した抵抗（領域）、３ ・・・二酸化シリ
コン膜、 ４ ・・・アルミ電極、 ５ ・・・多結晶
シリコン（不純物をドープして形成した領域の抵抗）、
６・・・コンタクト窓、 ７・・・Ｐ型分離層。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 ア只電極 第 図 （ａ） 第 図 （ｂ） 忙） 第 図
Claims (1)
- シリコン基板中に不純物拡散によって形成した抵抗と、
多結晶シリコン中に不純物をドープして形成した抵抗を
直列あるいは並列に接続したことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8983689A JPH02268462A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8983689A JPH02268462A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268462A true JPH02268462A (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=13981849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8983689A Pending JPH02268462A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02268462A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472240B2 (en) | 1998-02-27 | 2002-10-29 | Micron Technology, Inc. | Methods of semiconductor processing |
| US6967497B1 (en) | 1998-08-21 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Wafer processing apparatuses and electronic device workpiece processing apparatuses |
| US7217981B2 (en) * | 2005-01-06 | 2007-05-15 | International Business Machines Corporation | Tunable temperature coefficient of resistance resistors and method of fabricating same |
| US7245136B2 (en) | 1998-08-21 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing a workpiece, methods of communicating signals with respect to a wafer, and methods of communicating signals within a workpiece processing apparatus |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP8983689A patent/JPH02268462A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472240B2 (en) | 1998-02-27 | 2002-10-29 | Micron Technology, Inc. | Methods of semiconductor processing |
| US6709878B2 (en) | 1998-02-27 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Electronic device workpieces, methods of semiconductor processing and methods of sensing temperature of an electronic device workpiece |
| US6744346B1 (en) * | 1998-02-27 | 2004-06-01 | Micron Technology, Inc. | Electronic device workpieces, methods of semiconductor processing and methods of sensing temperature of an electronic device workpiece |
| US7419299B2 (en) | 1998-02-27 | 2008-09-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of sensing temperature of an electronic device workpiece |
| US6967497B1 (en) | 1998-08-21 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Wafer processing apparatuses and electronic device workpiece processing apparatuses |
| US7148718B2 (en) | 1998-08-21 | 2006-12-12 | Micron Technology, Inc. | Articles of manufacture and wafer processing apparatuses |
| US7245136B2 (en) | 1998-08-21 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing a workpiece, methods of communicating signals with respect to a wafer, and methods of communicating signals within a workpiece processing apparatus |
| US7217981B2 (en) * | 2005-01-06 | 2007-05-15 | International Business Machines Corporation | Tunable temperature coefficient of resistance resistors and method of fabricating same |
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