JPS5899850U - フオトダイオ−ド - Google Patents

フオトダイオ−ド

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Publication number
JPS5899850U
JPS5899850U JP19793081U JP19793081U JPS5899850U JP S5899850 U JPS5899850 U JP S5899850U JP 19793081 U JP19793081 U JP 19793081U JP 19793081 U JP19793081 U JP 19793081U JP S5899850 U JPS5899850 U JP S5899850U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photodiode
junction region
conductor
region
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19793081U
Other languages
English (en)
Inventor
濱嶋　茂樹
宏 瀧川
吉河　満男
伊藤　道春
知史 上田
Original Assignee
富士通株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
Priority to JP19793081U priority Critical patent/JPS5899850U/ja
Publication of JPS5899850U publication Critical patent/JPS5899850U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のフォトダイオードの構成を説明する上面
図、第２図は本考案に係るフォトダイオードの一実施例
を示す上面図、第３図は本考案に係るフォトダイオード
の他の実施例を示す上面図である。 ′　　図において１はＰ導電型半導体基板、４は受光面
、５はコンタクト穴、６は電極導体、２２゜３２はＮ導
電拡散層、２３．３３はＰＮ接合領域、２３’、３３’
は電極導体６直下のＰＮ接合領域部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板上にＰＮ接合領域を形成し、該ＰＮ接合領域
    の一側部を越えて受光面側の基板とは逆導電型の領域に
    対する電極導体を被着形成してなるフォトダイオードに
    おいて、上記電極導体下に位置するＰＮ接合領域の周辺
    形状を湾曲面状にしたことを特徴とするフォトダイオー
    ド。
JP19793081U 1981-12-25 1981-12-25 フオトダイオ−ド Pending JPS5899850U (ja)

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JP19793081U JPS5899850U (ja) 1981-12-25 1981-12-25 フオトダイオ−ド

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JP19793081U JPS5899850U (ja) 1981-12-25 1981-12-25 フオトダイオ−ド

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Publication Number Publication Date
JPS5899850U true JPS5899850U (ja) 1983-07-07

Family

ID=30111133

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JP19793081U Pending JPS5899850U (ja) 1981-12-25 1981-12-25 フオトダイオ−ド

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