JPS5825054U - 集積型半導体受光装置 - Google Patents

集積型半導体受光装置

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JPS5825054U
JPS5825054U JP11898881U JP11898881U JPS5825054U JP S5825054 U JPS5825054 U JP S5825054U JP 11898881 U JP11898881 U JP 11898881U JP 11898881 U JP11898881 U JP 11898881U JP S5825054 U JPS5825054 U JP S5825054U
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JP
Japan
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integrated semiconductor
semiconductor photodetector
substrate
abstract
resistance
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Pending
Application number
JP11898881U
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English (en)
Inventor
高浜 圀彦
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置を示す平面図、第2図は基板の比抵抗
と量子効率との関係を示す特性図、第3図はPN接合の
深さと量子効率との関係を示す特性図、第4図は本考案
装置の一実施例を示す断面図である。 10・・・高抵抗基板、13.14・・・受光領域、1
5・・・PN接合。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 同一基板内に複数個のPN接合を有する受光領域を具え
    た集積型半導体受光装置に於いて、上記基板は500Ω
    α以上の高抵抗であると共に上記PN接合は基板表面か
    ら略0,5μmの深さに位置していることを特徴とした
    集積型半導体受光装置。
JP11898881U 1981-08-10 1981-08-10 集積型半導体受光装置 Pending JPS5825054U (ja)

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Family

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55151375A (en) * 1979-05-14 1980-11-25 Pioneer Electronic Corp Photoelectric converter

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55151375A (en) * 1979-05-14 1980-11-25 Pioneer Electronic Corp Photoelectric converter

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