JPS6090862U - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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Publication number
JPS6090862U
JPS6090862U JP18417183U JP18417183U JPS6090862U JP S6090862 U JPS6090862 U JP S6090862U JP 18417183 U JP18417183 U JP 18417183U JP 18417183 U JP18417183 U JP 18417183U JP S6090862 U JPS6090862 U JP S6090862U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
chip
laser equipment
electrode surface
coating
Prior art date
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Pending
Application number
JP18417183U
Other languages
English (en)
Inventor
弘喜 浜田
昌幸 庄野
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
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Publication of JPS6090862U publication Critical patent/JPS6090862U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
図は本考案の実施例を示し、第１図及び第３図は断面図
、第２図は特性図である。 １・・・ヒートシンク、２・・・半導体レーザチップ、
６・・・被覆体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. １対の電極面を有する半導体レーザチップ、該チップの
    一方の電極面側が固着されたヒートシンク、上記チップ
    の他方の電極面を少な（とも被う被覆体からなり、上記
    被覆体は高熱伝導でかつ高電気伝導材料からなると共に
    上記他方の電極面と゛電気的に接触してなることを特徴
    とする半導体レーザ装置。
JP18417183U 1983-11-28 1983-11-28 半導体レ−ザ装置 Pending JPS6090862U (ja)

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JP18417183U JPS6090862U (ja) 1983-11-28 1983-11-28 半導体レ−ザ装置

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JP18417183U JPS6090862U (ja) 1983-11-28 1983-11-28 半導体レ−ザ装置

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JPS6090862U true JPS6090862U (ja) 1985-06-21

Family

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JP18417183U Pending JPS6090862U (ja) 1983-11-28 1983-11-28 半導体レ−ザ装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0311782A (ja) * 1989-06-09 1991-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2008147556A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2019083268A (ja) * 2017-10-31 2019-05-30 日本電信電話株式会社 半導体レーザ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0311782A (ja) * 1989-06-09 1991-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2008147556A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ装置及びその製造方法
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