JPS58144844U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58144844U
JPS58144844U JP4180282U JP4180282U JPS58144844U JP S58144844 U JPS58144844 U JP S58144844U JP 4180282 U JP4180282 U JP 4180282U JP 4180282 U JP4180282 U JP 4180282U JP S58144844 U JPS58144844 U JP S58144844U
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JP
Japan
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doped
polycrystalline silicon
semiconductor equipment
arsenic
phosphorus
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Pending
Application number
JP4180282U
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English (en)
Inventor
豊 岡田
金子　憲二
岡部　隆博
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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Priority to JP4180282U priority Critical patent/JPS58144844U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の第１の実施例説明図でａは平面図、ｂ
、　　ｃはその断面図、第２図は本考案の第２の実施例
説明図でａ、　　ｂ、　　ｃ、　　ｅ、　　ｆは断面図
、ｄはＣの平面図、第３図は本考案の第３の実施例説明
図でａ、　　ｂ、　　ｃ、　　ｄ、　　ｆは断面図、ｅ
はｄの平面図である。 符号の説明、１．　１１．　２１・・・半導体基板、５
゜１５・・・ベース領域、６．１９・・・エミッタ領域
、８゜１７．２５・・・ヒ素ドープ多結晶シリコン層、
８′。 １７’、２５’・・・配線用（ヒ素とリンドープ）多結
晶シリコン層、９．２７・・・金属電極、１０゜１２、
　１４．　１８．　２２．　２４・・・酸化膜、１３゜
１３’、２３・・・窒化膜。 （Ｑ）１，３１２ （ｂ）

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 多結晶シリコンを配線に使用するトランジスタを備えた
    半導体装置において、トランジスタのアクティブエリア
    内の多結晶シリコンにはヒ素をドープしアクティブエリ
    ア以外の配線用多結晶シリコンにはヒ素とリンあるいは
    リンのみのいずれかをドープしたことを特徴とする半導
    体装置。
JP4180282U 1982-03-26 1982-03-26 半導体装置 Pending JPS58144844U (ja)

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JP4180282U JPS58144844U (ja) 1982-03-26 1982-03-26 半導体装置

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JPS58144844U true JPS58144844U (ja) 1983-09-29

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ID=30052978

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