JPS5822752U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS5822752U
JPS5822752U JP11694281U JP11694281U JPS5822752U JP S5822752 U JPS5822752 U JP S5822752U JP 11694281 U JP11694281 U JP 11694281U JP 11694281 U JP11694281 U JP 11694281U JP S5822752 U JPS5822752 U JP S5822752U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor equipment
semiconductor device
view
facing
ohmic contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11694281U
Other languages
English (en)
Inventor
英哲 西村
Original Assignee
日本電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP11694281U priority Critical patent/JPS5822752U/ja
Publication of JPS5822752U publication Critical patent/JPS5822752U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図aおよびbは従来の半導体抵抗素子の平面図およ
びその断面図、第2図aおよびbは本考案の一実施例に
よる半導体抵抗素子の平面図およびその断面図、第3図
aおよびbは本考案の他の実施例によるダイオードの平
面図および断面図、第4図は本考案の他の実施例による
トランジスタの平面図および断面図である。 1.11・・・・・・−導電型半導体基板、2・・・・
・・シリコン酸化膜、3.12・・・・・・基板と反対
の導電型領域、4. 13.24・・・・・・PN接合
、4’、13’。 24′・・・・・・PN接合の一辺、4”、13″、2
4″・・・・・・PN接合の一辺の端部、5. 6. 
7. 14゜15.16,20.25.26.27.2
8・・・・・・コンタクト窓、5 ’ *  6’ I
  6”I  7’ *  14’−114’、16’
、20’、25’、26’、26“、28′・・・・・
・コンタクト窓の一辺、5“、6“6ut2 7′、 
 14”’、  14”’、  15’ 、  16“
。 20“、25“、26′、  26”’、  2 B“
・・・・・・コンタクト窓の一辺の端部、8. 9. 
10. 17゜1B、 19..21.22.29.3
0.31゜32・・・・・・電極、23・・・・・・基
板と同導電型領域(エミッタ領域)、33・・・・・・
オーミックコンタクト用拡散領域、34・・・・・・オ
ーミックコンタクト用拡散領域境界部、34′・・・・
・・オーミックコンタクト用拡散領域の一辺、34″・
・・・・・オーミックコンタクト用拡散領域の端部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型領域に間隔をおいて対向する電極又はPN接合
    を介して対向する電極を有する半導体装置において、対
    向する電極取り出し窓及び又はオーミックコンタクト用
    の電極直下の拡散領域の端部を丸形としたことを特徴と
    する半導体装置。
JP11694281U 1981-08-05 1981-08-05 半導体装置 Pending JPS5822752U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11694281U JPS5822752U (ja) 1981-08-05 1981-08-05 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11694281U JPS5822752U (ja) 1981-08-05 1981-08-05 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5822752U true JPS5822752U (ja) 1983-02-12

Family

ID=29911150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11694281U Pending JPS5822752U (ja) 1981-08-05 1981-08-05 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5822752U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0336132U (ja)
JPS5822752U (ja) 半導体装置
JPS5827936U (ja) 半導体装置
JPS6139959U (ja) 半導体装置
JPS5860951U (ja) 半導体装置
JPS58168149U (ja) トランジスタ
JPS60153548U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS63127152U (ja)
JPS58114054U (ja) 光半導体装置
JPS5869942U (ja) 半導体装置
JPS60149150U (ja) 半導体装置
JPS60141158U (ja) シヨツトキ−障壁型電界効果トランジスタ
JPS60113653U (ja) 半導体集積回路
JPS5926265U (ja) 半導体装置
JPS5887363U (ja) 半導体装置
JPS58195458U (ja) 半導体装置
JPS59187155U (ja) 静電誘導トランジスタ
JPS5877064U (ja) 半導体集積回路装置
JPS60137451U (ja) 半導体抵抗装置
JPS60125748U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS61183550U (ja)
JPS5897853U (ja) 半導体装置
JPS59101449U (ja) 半導体装置
JPS5989556U (ja) 半導体抵抗装置
JPS60116254U (ja) ダ−リントン接続形トランジスタ装置