JPS5877064U - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS5877064U
JPS5877064U JP17112081U JP17112081U JPS5877064U JP S5877064 U JPS5877064 U JP S5877064U JP 17112081 U JP17112081 U JP 17112081U JP 17112081 U JP17112081 U JP 17112081U JP S5877064 U JPS5877064 U JP S5877064U
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JP
Japan
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integrated circuit
semiconductor integrated
circuit device
elements
type mos
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Pending
Application number
JP17112081U
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English (en)
Inventor
健次 山下
Original Assignee
日本電気アイシ−マイコンシステム株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のベース拡散型抵抗素子を示す平面図であ
基。第２図は本考案−実施例のインピーダンス素手を示
す平面図、第３図はデプレッション型ＭＯ３）ランジス
タのＭ□Ｓ−１１５５特性図である。 １、　５．　６．　１０・・・・・・配線材（主にＡ１
．２，４゜７．９・・・・・・配線材セ拡散領域とのコ
ンタクト部、３・・・・・・ベース拡散抵抗領域、８・
・・・・・ゲート電極、１１・・・・・・ソース領域、
１２・・・・・・ドレイン領域、Ｌｌ・・・・・・拡散
抵抗長、Ｗ、・・・・・・拡散抵抗値、Ｌ２・・・・・
・チャンネル長、Ｗ２・・・・・・チャンネルＩＩＩＬ
１３゜１４．１５・・・・・・デプレッション型ＭＯＳ
トランジスタのＶ′ＤＳ　ＩＤ５Ｓ特性曲線。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 能動素子としてバイポーラトランジスタ素子を用いて構
    成された半導体集積回路のインピーダンス素子の一部若
    しくはすべてをディプレッションタイプのＭＯＳトラン
    ジスタによって実現したことを特徴とする半導体集積回
    路装置。
JP17112081U 1981-11-17 1981-11-17 半導体集積回路装置 Pending JPS5877064U (ja)

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JP17112081U JPS5877064U (ja) 1981-11-17 1981-11-17 半導体集積回路装置

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JPS5877064U true JPS5877064U (ja) 1983-05-24

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5087593A (ja) * 1973-12-06 1975-07-14
JPS50149287A (ja) * 1974-05-20 1975-11-29

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5087593A (ja) * 1973-12-06 1975-07-14
JPS50149287A (ja) * 1974-05-20 1975-11-29

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