JPS58180647U - 接合形電界効果トランジスタ - Google Patents
接合形電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS58180647U JPS58180647U JP7774282U JP7774282U JPS58180647U JP S58180647 U JPS58180647 U JP S58180647U JP 7774282 U JP7774282 U JP 7774282U JP 7774282 U JP7774282 U JP 7774282U JP S58180647 U JPS58180647 U JP S58180647U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- region
- junction field
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来例によるＪ−ＦＥＴの断面図、第２図は本
考案の一実施例によるＪ−ＦＥＴの断面図である。 １：ソース領域、２：第１ゲート領域、３ニドレイン領
域、４：チャネル領域、５：第２ゲート領域。
考案の一実施例によるＪ−ＦＥＴの断面図である。 １：ソース領域、２：第１ゲート領域、３ニドレイン領
域、４：チャネル領域、５：第２ゲート領域。
Claims (1)
- 第１導電形半導体領′域のソース領域とドレイン領域と
第１ゲート領域とチャネル領域及び相反する第２導電形
半導体領域の第２ゲート領域からなる接合形電界効果ト
ランジスタにおいて、前記ソース領域を溝構造にしたこ
とを特徴とする接合形電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7774282U JPS58180647U (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 接合形電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7774282U JPS58180647U (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 接合形電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180647U true JPS58180647U (ja) | 1983-12-02 |
Family
ID=30086993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7774282U Pending JPS58180647U (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 接合形電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180647U (ja) |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP7774282U patent/JPS58180647U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5936262U (ja) | 半導体メモリ素子 | |
| JPS591199U (ja) | 半導体メモリ素子 | |
| JPS59189345U (ja) | 相補型ｍｏｓインバ−タ装置 | |
| JPS58180647U (ja) | 接合形電界効果トランジスタ | |
| JPS59119045U (ja) | 高出力高周波トランジスタ | |
| JPS5945941U (ja) | シヨツトキバリアゲ−ト電界効果トランジスタ | |
| JPS60166158U (ja) | メモリーセル | |
| JPS6139958U (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS58116244U (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| JPS60181054U (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS58180643U (ja) | 半導体装置のパツケ−ジ | |
| JPS6130260U (ja) | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ | |
| JPS58193645U (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS6142860U (ja) | 相補型ｍｏｓ半導体装置 | |
| JPS5952715U (ja) | 差動回路 | |
| JPS6083247U (ja) | マイクロ波集積回路化トランジスタ回路 | |
| JPS588962U (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH0396052U (ja) | ||
| JPS58159755U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59119047U (ja) | 高出力高周波トランジスタ | |
| JPS58182442U (ja) | 相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体集積回路装置 | |
| JPS594651U (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS6142863U (ja) | Ｍｏｓ半導体装置 | |
| JPS5877064U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5957019U (ja) | 演算増幅器 |