JPS58193645U - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS58193645U JPS58193645U JP9150882U JP9150882U JPS58193645U JP S58193645 U JPS58193645 U JP S58193645U JP 9150882 U JP9150882 U JP 9150882U JP 9150882 U JP9150882 U JP 9150882U JP S58193645 U JPS58193645 U JP S58193645U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- gate electrode
- nitride
- gaas substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の電界効果トランジスタを示す断面図、第
２図はこの考案の電界効果トランジスタの一実施例を示
す断面図である。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ型ＧａＡｓ
層、４．５・・・低抵抗ｎ型ＧａＡｓ層、６．７・・・
ソース・ドレイン電極、１１・・・ゲート電極。
２図はこの考案の電界効果トランジスタの一実施例を示
す断面図である。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ型ＧａＡｓ
層、４．５・・・低抵抗ｎ型ＧａＡｓ層、６．７・・・
ソース・ドレイン電極、１１・・・ゲート電極。
Claims (1)
- ＧａＡｓ基板上にＭＥＳ構造で形成した電界効果トラン
ジスタにおいて、ゲート電極を高融点金属の窒化物で形
成したことを特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9150882U JPS58193645U (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9150882U JPS58193645U (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58193645U true JPS58193645U (ja) | 1983-12-23 |
Family
ID=30099871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9150882U Pending JPS58193645U (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58193645U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135680A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS58157172A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP9150882U patent/JPS58193645U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135680A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS58157172A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
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