JPS58118753U - トランジスタ構造 - Google Patents

トランジスタ構造

Info

Publication number
JPS58118753U
JPS58118753U JP1487082U JP1487082U JPS58118753U JP S58118753 U JPS58118753 U JP S58118753U JP 1487082 U JP1487082 U JP 1487082U JP 1487082 U JP1487082 U JP 1487082U JP S58118753 U JPS58118753 U JP S58118753U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
base region
base
semiconductor substrate
axis direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1487082U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH041732Y2 (ja
Inventor
田中　忠彦
丸尾　成人
Original Assignee
三洋電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP1487082U priority Critical patent/JPS58118753U/ja
Publication of JPS58118753U publication Critical patent/JPS58118753U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH041732Y2 publication Critical patent/JPH041732Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の実施例を示す上面図、第２図は第１図
に示されたＡ−Ａ’断面図である。 １・・・半導体基体、２．２′・・・ベース領域、３・
・・エミッタ領域、４・・・ベースコンタクト領域、５
・・・ベース電極、６・・・エミッタ電極、７・・・酸
化膜、８゜９・・・コンタクトホール、１０・・・ベー
スエミッタ接合面。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基体と、該半導体基体上に形成された
    逆導電型のベース領域と、該ベース領域内に前記半導体
    基体と同導電型で網状に形成されたエミッタ領域とを有
    するトランジスタに於いて、前記エミッタ領域の網目か
    ら露出するベース領域の形状を、長軸方向が一致して配
    列された、長円形、楕円形あるいは長方形とし、その長
    軸方向先端近傍にエミッタコンタクトを形成すると共に
    、前記ベース領域内に長軸方向の長さを所望に形成した
    ベースコンタクト領域を形成することに依り、前記ベー
    ス領域内の長軸方向の内部抵抗をベースバランス抵抗と
    することを特徴とするトランジスタ構造。。
JP1487082U 1982-02-04 1982-02-04 トランジスタ構造 Granted JPS58118753U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1487082U JPS58118753U (ja) 1982-02-04 1982-02-04 トランジスタ構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1487082U JPS58118753U (ja) 1982-02-04 1982-02-04 トランジスタ構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58118753U true JPS58118753U (ja) 1983-08-13
JPH041732Y2 JPH041732Y2 (ja) 1992-01-21

Family

ID=30027323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1487082U Granted JPS58118753U (ja) 1982-02-04 1982-02-04 トランジスタ構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58118753U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62124861U (ja) * 1986-01-30 1987-08-08

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5056177A (ja) * 1973-09-14 1975-05-16
JPS5080762A (ja) * 1973-11-14 1975-07-01
JPS57181161A (en) * 1981-04-30 1982-11-08 Sanyo Electric Co Ltd Transistor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5056177A (ja) * 1973-09-14 1975-05-16
JPS5080762A (ja) * 1973-11-14 1975-07-01
JPS57181161A (en) * 1981-04-30 1982-11-08 Sanyo Electric Co Ltd Transistor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62124861U (ja) * 1986-01-30 1987-08-08

Also Published As

Publication number Publication date
JPH041732Y2 (ja) 1992-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58118753U (ja) トランジスタ構造
JPS5892744U (ja) 半導体素子
JPS60121650U (ja) チツプキヤリア
JPS5933254U (ja) 半導体装置
JPS58168149U (ja) トランジスタ
JPS5937749U (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS5822749U (ja) 半導体素子用パツケ−ジ
JPS59151447U (ja) 硝子封止型パツケ−ジ
JPS5829850U (ja) 複合半導体装置
JPS5961503U (ja) チツプ抵抗器
JPS5889946U (ja) 半導体装置
JPS6134741U (ja) 半導体装置
JPS5945939U (ja) 半導体装置
JPS5967933U (ja) 半導体電極取出構造
JPS58116243U (ja) トランジスタ構造
JPS5812942U (ja) 薄膜集積回路装置
JPS6018555U (ja) 半導体装置
JPS5869942U (ja) 半導体装置
JPS5989556U (ja) 半導体抵抗装置
JPS60179050U (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS5981046U (ja) ダ−リントントランジスタ
JPS6025146U (ja) 半導体装置
JPS58184856U (ja) 半導体装置
JPS5887348U (ja) 帯電防止処理を施した半導体デイバイス
JPS58120661U (ja) 半導体装置