JPH041732Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はトランジスタ、特に高電流容量化を図
つたトランジスタ構造に関する。

従来よりトランジスタの電流容量の増大を図る
構造としてはエミツタ有効面積を増大することが
知られている。その手段として、ベース領域内に
網状にエミツタ領域を形成したトランジスタが提
案されている。この種のトランジスタに於いて、
エミツタ領域の網目から露出するベース領域の形
状は、正方形あるいは円形であり、このベース領
域内には同形状のベースコンタクト領域が形成さ
れる。従つて、ベースコンタクト領域からエミツ
ターベース接合面までのベース領域の内部抵抗は
等しくなつており、そして、エミツタ領域とエミ
ツタ電極との接続を為すエミツタコンタクトは、
網状のエミツタ領域の縦及び横が交叉する部分に
形成されており、電流はエミツタコンタクトとベ
ースコンタクト領域の最短距離を流れるため、そ
の部分への電流集中が生じ、ついには破壊に至る
危惧を有していた。

本考案は上述した点に鑑みて為されたものであ
り、ベース領域を長方形、長円形あるいは楕円形
とすることに依り、エミツタの周辺長を長くする
と共に、長軸方向に於けるベース領域の内部抵抗
を大きくすることに依り、従来の欠点を除去した
トランジスタを提供するものである。以下図面を
参照して本考案を詳述する。

第１図は本考案の実施例を示す上面図、第２図
は第１図に示された上面図のＡ−A′断面図であ
り、本実施例に依るトランジスタはNPN型であ
る。

第１図及び第２図に於いて、半導体基体１はリ
ン等の不純物を含むＮ型のシリコン半導体であ
り、コレクタ領域となる。半導体基体１上にはエ
ピタキシヤル法あるいは拡散法に依つてポロン等
の不純物が比較的低濃度に拡散されたＰ型のベー
ス領域２が設けられ、このベース領域２内にはリ
ン等の不純物が高濃度に拡散されたN⁺型のエミ
ツタ領域３が網状に形成されている。更にエミツ
タ領域３の網目から露出するベース領域２′の表
面からは同導電型を呈する不純物が高濃度に拡散
されたP⁺型のベースコンタクト領域４が形成さ
れている。

第１図に破線で示された５はベース電極、６は
エミツタ電極であり、各々櫛型状に形成されてい
る。また第２図の如く、ベース電極５は、ベース
コンタクト領域４上の酸化膜７に形成されたコン
タクトホール８に依つて、ベースコンタクト領域
４と接触し、一方エミツタ電極６は、エミツタ領
域３上の酸化膜７に形成されたコンタクトホール
９に依つて、エミツタ領域３と接触している。

本実施例に於いて、網状に形成されたエミツタ
領域３の網目から露出するベース領域２′の形状
は長円形に形成され、その長軸はすべて同一方向
に並んでいる。このベース領域２′内に形成され
るベースコンタクト領域４は同様に長円形に形成
されるが、短軸及び長軸方向ともにベース領域
２′の外形より小さく、特に長軸方向に於いては
短く形成される。またベース領域２の不純物濃度
は、前述した如く、比較的低濃度であるので、ベ
ースコンタクト領域４からベースエミツタ接合面
１０に至るまでの内部抵抗は比較的高低抗となる
が、特に長軸方向に於ける内部抵抗は短軸方向よ
りも高くなつている。従つて、ベースコンタクト
領域４の長軸方向の長さを適宜選ぶことに依つ
て、任意の内部抵抗を設定することができる。

一方、エミツタコンタクト９は、エミツタ領域
３の縦及び横が交叉する部分、即ち、各ベース領
域２′の長軸方向の先端近傍に形成されている。
従つて、ベースコンタクト領域４からエミツタコ
ンタクト９に至る最短距離方向に於いて、そのベ
ース領域２′の内部抵抗は短軸方向より、高くな
るため、電流は最短距離方向を流れにくくなり、
短軸方向にも分散されるのである。

この様に長軸方向に於けるベース領域２′の内
部抵抗がベースバランス抵抗となるため、電流が
分散され、電流集中に依る破壊が防止されるので
ある。更にベース領域２′が長円形であるため、
エミツタ領域３の周辺長も長くなり、大電流容量
化が図れるのである。

本実施例では、網目から上面に露出するベース
領域２′の形状は長円形であつたが、長円形に限
らず、長方形あるいは楕円形であつても、同様の
効果が得られるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例を示す上面図、第２図
は第１図に示されたＡ−A′断面図である。 １……半導体基体、２，２′……ベース領域、
３……エミツタ領域、４……ベースコンタクト領
域、５……ベース電極、６……エミツタ電極、７
……酸化膜、８，９……コンタクトホール、１０
……ベースーエミツタ接合面。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 一導電型の半導体基体と、該半導体基体上に形
   成された逆導電型のベース領域と、該ベース領域
   内に前記半導体基体と同導電型で網状に形成され
   たエミツタ領域とを有するトランジスタに於い
   て、 前記エミツタ領域の網目から露出するベース領
   域の形状を、長軸方向が一致して配列された、長
   円形、楕円形あるいは長方形とし、 その長軸方向先端近傍の前記エミツタ領域表面
   に前記ベース領域の長軸方向のベース・エミツタ
   接合より前記ベース領域の短軸方向のベース・エ
   ミツタ接合の方が遠方となる位置にエミツタコン
   タクトを形成し、 前記ベース領域内に前記ベース領域より高い不
   純物濃度を持つベースコンタクト領域を形成し、 前記ベースコンタクト領域から前記エミツタ領
   域までの前記ベース領域内の内部抵抗をベースバ
   ランス抵抗として、前記ベース領域の長軸方向の
   ベースバランス抵抗が前記ベース領域の短軸方向
   のベースバランス抵抗より大となるように前記ベ
   ースコンタクト領域を形成し、 前記ベースコンタクト領域にコンタクトするベ
   ース電極を設けたことを特徴とするトランジスタ
   構造。