JPH0277173A - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPH0277173A JPH0277173A JP63229172A JP22917288A JPH0277173A JP H0277173 A JPH0277173 A JP H0277173A JP 63229172 A JP63229172 A JP 63229172A JP 22917288 A JP22917288 A JP 22917288A JP H0277173 A JPH0277173 A JP H0277173A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion
- region
- emitter
- concentration
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- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 78
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は受光素子に使用するトランジスタの拡散構造に
関するものである。
関するものである。
（従来の技術）
第２図は従来のトランジスタの一例としてのホトトラン
ジスタの路面図である。Ｎ＋半導体基板１の上部にＮ−
半導体基板２を形成し、高濃度のＰ＋を約５μｍの深さ
にてベース拡散領域８を形成し、さらにその一部ＫＮ＋
のエミッタ拡散領域５を形成しである。図において６は
ベース電極、７は工＜７タ電極であり、他の表面は５１
０２膜８で覆われている。裏面は全面にわたりコレクタ
電極９が設けられている。Ｐ型のベース拡散領域８を約
５μｍの深い高濃度の一回拡散としであるので、ベース
・コレクタ間の耐圧を８０ｖ以上及びコレクタ・エミッ
タ間の耐圧を８５Ｖ以上にすることができる。トランジ
スタのｈＦＥ制御はエミッタ拡散の深さ及び不純物濃度
の調節により行っている。
ジスタの路面図である。Ｎ＋半導体基板１の上部にＮ−
半導体基板２を形成し、高濃度のＰ＋を約５μｍの深さ
にてベース拡散領域８を形成し、さらにその一部ＫＮ＋
のエミッタ拡散領域５を形成しである。図において６は
ベース電極、７は工＜７タ電極であり、他の表面は５１
０２膜８で覆われている。裏面は全面にわたりコレクタ
電極９が設けられている。Ｐ型のベース拡散領域８を約
５μｍの深い高濃度の一回拡散としであるので、ベース
・コレクタ間の耐圧を８０ｖ以上及びコレクタ・エミッ
タ間の耐圧を８５Ｖ以上にすることができる。トランジ
スタのｈＦＥ制御はエミッタ拡散の深さ及び不純物濃度
の調節により行っている。
（発明が解決しよりとする課題）
拡散炉での不純物拡散においては、通常拡散炉内の不純
物濃度及び温度のばらつきにより、Ｓ４基板に拡散され
る不純物の濃度及び拡散深さがばらつき、更に上記の深
いベース拡散だおいては、拡散時間が長いため、拡散さ
れた不純物濃度及び拡散深さのばらつきが増大する。又
、ベース拡散が高濃度で深い場合は、ｈＦＥを高い値圧
するために、エミッタ拡散を約４μｍの深さＫしなけれ
ばならない。この場合にも、エミッタ拡散は、上記ベー
ス拡散のときと同様に、拡散された不純物濃度及び拡散
深さのばらつきを生じ、ｈＦＩｃのばらつきを大きくさ
せる。
物濃度及び温度のばらつきにより、Ｓ４基板に拡散され
る不純物の濃度及び拡散深さがばらつき、更に上記の深
いベース拡散だおいては、拡散時間が長いため、拡散さ
れた不純物濃度及び拡散深さのばらつきが増大する。又
、ベース拡散が高濃度で深い場合は、ｈＦＥを高い値圧
するために、エミッタ拡散を約４μｍの深さＫしなけれ
ばならない。この場合にも、エミッタ拡散は、上記ベー
ス拡散のときと同様に、拡散された不純物濃度及び拡散
深さのばらつきを生じ、ｈＦＩｃのばらつきを大きくさ
せる。
以上のように、ベース・コレクタ間及びコレクタ・エミ
ッタ間の耐圧を高くするためには、ベース拡散領域の深
さを深くしなければならないが、エミッタの拡散時間が
長くなり、拡散炉の不純物濃度及び拡散深さがばらつき
、ｈＦＥ値がばらつくという問題があった。
ッタ間の耐圧を高くするためには、ベース拡散領域の深
さを深くしなければならないが、エミッタの拡散時間が
長くなり、拡散炉の不純物濃度及び拡散深さがばらつき
、ｈＦＥ値がばらつくという問題があった。
（課題を解決するための手段）
本発明においては、エミッタ拡散領域（Ｎ＋）の周囲の
ベース拡散領域（Ｐ＋）を高濃度で深くするように第一
回目の拡散を行い、エミッタ拡散領域（Ｎ＋）の下部の
ベース拡散領域（Ｐ−）を低濃度で浅くするように第２
回目の拡散を行った。またエミッタ拡散領域の深さも浅
くした。
ベース拡散領域（Ｐ＋）を高濃度で深くするように第一
回目の拡散を行い、エミッタ拡散領域（Ｎ＋）の下部の
ベース拡散領域（Ｐ−）を低濃度で浅くするように第２
回目の拡散を行った。またエミッタ拡散領域の深さも浅
くした。
（作用）
本発明によれば、エミッタ拡散領域及びその下部のベー
ス拡散領域が低濃度で浅くなるので、拡散時間が短かく
なり、不純物濃度及び温度のばらつきによる拡散された
不純物の濃度及び拡散深さのばらつきが少なくなる。ま
た、エミッタ拡散領域の周囲のベース拡散領域は高濃度
で深く拡散されているため、ベース・コレクタ間及びコ
レクタ・エミッタ間の耐圧は高く、高いｈＦＥでもばら
つきが少なく、高耐圧の且つｈＦＥのはらつきが小さい
トランジスタが得られる。
ス拡散領域が低濃度で浅くなるので、拡散時間が短かく
なり、不純物濃度及び温度のばらつきによる拡散された
不純物の濃度及び拡散深さのばらつきが少なくなる。ま
た、エミッタ拡散領域の周囲のベース拡散領域は高濃度
で深く拡散されているため、ベース・コレクタ間及びコ
レクタ・エミッタ間の耐圧は高く、高いｈＦＥでもばら
つきが少なく、高耐圧の且つｈＦＥのはらつきが小さい
トランジスタが得られる。
（実施例）
以上の説明はＮＰＮ）ランジスタについて行った。以下
の実施例も、ＮＰＮＩ−ランジスタの場合について行わ
れるが、ＰＮＰトランジスタの場合にも応用できる。
の実施例も、ＮＰＮＩ−ランジスタの場合について行わ
れるが、ＰＮＰトランジスタの場合にも応用できる。
第１図においてＮ＋半導体基板１の上部にＮ−半導体基
板２を形成することは第２図の場合と同様である。本発
明においては、エミッタ拡散を行う予定の領域の周囲に
高濃度（Ｐ＋）で深い第１回目の拡散を行いベース拡散
領域３を形成する。次にエミッタ拡散を行う予定の領域
の下部に低濃度ＣＰ−）で浅い第２回目の拡散を行いエ
ミッタ拡散領域５の下部のベース拡散領域４を形成する
。次にベース拡散領域４の上部にエミッタ拡散領域５を
浅く形成する。このエミッタ拡散領域５の両端はベース
拡散領域８の端部に延長している。
板２を形成することは第２図の場合と同様である。本発
明においては、エミッタ拡散を行う予定の領域の周囲に
高濃度（Ｐ＋）で深い第１回目の拡散を行いベース拡散
領域３を形成する。次にエミッタ拡散を行う予定の領域
の下部に低濃度ＣＰ−）で浅い第２回目の拡散を行いエ
ミッタ拡散領域５の下部のベース拡散領域４を形成する
。次にベース拡散領域４の上部にエミッタ拡散領域５を
浅く形成する。このエミッタ拡散領域５の両端はベース
拡散領域８の端部に延長している。
ｈＦＫの制御は、エミッタ拡散領域５の下部のベース拡
散領域４の拡散の濃度の調節により行われる。
散領域４の拡散の濃度の調節により行われる。
第２図と同様の部分は同一の符号により表示される。第
１図の６．７，８及９については第２図と同様である。
１図の６．７，８及９については第２図と同様である。
（発明の効果）
本発明によれば、エミッタ拡散層及びその下部のベース
拡散層が浅いため、拡散時間が短縮されるので、拡散に
際し不純物濃度及び拡散深さのばらつきが少なく、ばら
つきの小さい高いｈＦＩＥを得ることができる。エミッ
タ拡散領域５の周囲のベース拡散領域８は、高濃度であ
りかつ深いので、ベース・コレクタ間及びコレクタ・エ
ミッタ間の高耐圧が得られる。
拡散層が浅いため、拡散時間が短縮されるので、拡散に
際し不純物濃度及び拡散深さのばらつきが少なく、ばら
つきの小さい高いｈＦＩＥを得ることができる。エミッ
タ拡散領域５の周囲のベース拡散領域８は、高濃度であ
りかつ深いので、ベース・コレクタ間及びコレクタ・エ
ミッタ間の高耐圧が得られる。
第１図は本発明の一実施例の略断面図、第２図は従来例
の略断面図である。 １・・・Ｎ＋半導体基板、２・・・Ｎ−半導体基板、８
・・・ベース拡散領域（Ｐ＋）、４・・・ベース拡散領
域（Ｐつ、５・・・工ずツタ拡散領域、９・・・コレク
タ［櫃代理人 福 士 愛 彦、４゛１ 、リ ２！ｉ
の略断面図である。 １・・・Ｎ＋半導体基板、２・・・Ｎ−半導体基板、８
・・・ベース拡散領域（Ｐ＋）、４・・・ベース拡散領
域（Ｐつ、５・・・工ずツタ拡散領域、９・・・コレク
タ［櫃代理人 福 士 愛 彦、４゛１ 、リ ２！ｉ
Claims (1)
- １、第１の導電型の浅いエミッタ拡散領域と、その下部
の低濃度の浅い第２の導電型のベース拡散層と、前記の
エミッタ拡散領域の周囲の高濃度の深い第２の導電型の
ベース拡散層とを有することを特徴とするトランジスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63229172A JPH0277173A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63229172A JPH0277173A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277173A true JPH0277173A (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=16887917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63229172A Pending JPH0277173A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0277173A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043130A (en) * | 1999-05-17 | 2000-03-28 | National Semiconductor Corporation | Process for forming bipolar transistor compatible with CMOS utilizing tilted ion implanted base |
| US6262472B1 (en) | 1999-05-17 | 2001-07-17 | National Semiconductor Corporation | Bipolar transistor compatible with CMOS utilizing tilted ion implanted base |
-
1988
- 1988-09-13 JP JP63229172A patent/JPH0277173A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043130A (en) * | 1999-05-17 | 2000-03-28 | National Semiconductor Corporation | Process for forming bipolar transistor compatible with CMOS utilizing tilted ion implanted base |
| US6262472B1 (en) | 1999-05-17 | 2001-07-17 | National Semiconductor Corporation | Bipolar transistor compatible with CMOS utilizing tilted ion implanted base |
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