JPS6350064A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6350064A JPS6350064A JP19448486A JP19448486A JPS6350064A JP S6350064 A JPS6350064 A JP S6350064A JP 19448486 A JP19448486 A JP 19448486A JP 19448486 A JP19448486 A JP 19448486A JP S6350064 A JPS6350064 A JP S6350064A
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- JP
- Japan
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- region
- base
- emitter
- base region
- electrode
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、詳しくは、トランジスタのベース
構造に関するものである。
構造に関するものである。
従来の技術
従来例のトランジスタで、その安全動作領域拡大の一方
策として、フローティングエミッタ構造になしたものが
ある。第２図は、その従来例トランジスタの断面図であ
る。
策として、フローティングエミッタ構造になしたものが
ある。第２図は、その従来例トランジスタの断面図であ
る。
同図において、１はコレクタ基板、２はベース領域、３
はエミッタ領域、４はブローティングエミッタ領域、５
はベース電極、６はエミッタ電極、７はコレクタ電極、
８は絶縁膜、９は抵抗領域である。
はエミッタ領域、４はブローティングエミッタ領域、５
はベース電極、６はエミッタ電極、７はコレクタ電極、
８は絶縁膜、９は抵抗領域である。
第２図に示すように、ベース電極５とエミッタ領域３と
の間のベース領域に、エミッタ領域３と同時形成され、
同一電導形のフローティングエミッタ領域４を設けたも
ので、この領域４はエミッタ領域３を完全に包囲する構
造となっている。かかる構造においては、エミッタ領域
３の側面部では、フローティングエミッタ領域４によっ
てキャリアの注入が阻止されるため、その動作メカニズ
ムは制限を受ける。したがって、フローティングエミッ
タ領域４の下部のベース領域は抵抗領域９として動作す
る。
の間のベース領域に、エミッタ領域３と同時形成され、
同一電導形のフローティングエミッタ領域４を設けたも
ので、この領域４はエミッタ領域３を完全に包囲する構
造となっている。かかる構造においては、エミッタ領域
３の側面部では、フローティングエミッタ領域４によっ
てキャリアの注入が阻止されるため、その動作メカニズ
ムは制限を受ける。したがって、フローティングエミッ
タ領域４の下部のベース領域は抵抗領域９として動作す
る。
発明が解決しようとする問題点
上記構成において、抵抗領域９の抵抗値はベース領域の
不純物濃度、同拡散長およびエミッタ拡散長によって決
定される。このため、抵抗値を変えようとすると、トラ
ンジスタの特性も付随的に太き（変化するという問題点
がある。
不純物濃度、同拡散長およびエミッタ拡散長によって決
定される。このため、抵抗値を変えようとすると、トラ
ンジスタの特性も付随的に太き（変化するという問題点
がある。
また、この抵抗値はフローティングエミツタ幅により変
えることができるが、高抵抗を形成する場合、フローテ
ィングエミツタ幅が大きくなり、チップの有効面積を減
少させる欠点があった。本発明の目的は、このような問
題点を解消することにある。
えることができるが、高抵抗を形成する場合、フローテ
ィングエミツタ幅が大きくなり、チップの有効面積を減
少させる欠点があった。本発明の目的は、このような問
題点を解消することにある。
問題点を解決するための手段
本発明の半導体装置は、半導体基板上に一導電型のコレ
クタ領域、同コレクタ領域内に拡散深さの段差をもった
反対導電型のベース領域、このベース領域の浅い部分の
表面にベース電極、前記ベース領域の深い部分に一導電
型のエミッタ領域をそなえたものである。
クタ領域、同コレクタ領域内に拡散深さの段差をもった
反対導電型のベース領域、このベース領域の浅い部分の
表面にベース電極、前記ベース領域の深い部分に一導電
型のエミッタ領域をそなえたものである。
作用
上記構成により、エミッタ有効面積を減少させずに、ベ
ース領域に抵抗形成が可能であり、また、その抵抗値も
自由に設定でき、微細化が可能である。
ース領域に抵抗形成が可能であり、また、その抵抗値も
自由に設定でき、微細化が可能である。
実施例
本発明を実施例によって説明する。第１図は本発明実施
例の半導体装置の断面図である。同図においてコレクタ
基板１の主面に深いベース領域２と、その中にエミッタ
領域３とを形成し、また、深いベース領域２に接続する
ように浅いベース領域１０を形成し、このベース領域１
０上にベース電極５を形成する。エミッタ電極６および
コレクタ電極７は、それぞれ、エミッタ領域３および基
板１の裏面に形成する。
例の半導体装置の断面図である。同図においてコレクタ
基板１の主面に深いベース領域２と、その中にエミッタ
領域３とを形成し、また、深いベース領域２に接続する
ように浅いベース領域１０を形成し、このベース領域１
０上にベース電極５を形成する。エミッタ電極６および
コレクタ電極７は、それぞれ、エミッタ領域３および基
板１の裏面に形成する。
このようにして形成されたトランジスタは、浅いベース
領域１０内に抵抗領域９を有する。
領域１０内に抵抗領域９を有する。
以上述べたように、本実施例によれば、ベース領域２の
拡散長を１０μｍ、表面濃度を５．０×１０１８ｃｍ−
３に、エミッタ領域３の拡散長を５μｍ１表面濃度を８
．０ Ｘ １０２０ａｍ−３にすることにより、電流増
幅率（ｈＦＥ）は約１００が得られ、かつベース領域４
は拡散長３μｍ、表面濃度１．ＯＸｌｏｌＧｃｍ ”に
することによりベースの平均抵抗は約１．６Ωｃｍが得
られ、実用上可能な範囲に制御できる。
拡散長を１０μｍ、表面濃度を５．０×１０１８ｃｍ−
３に、エミッタ領域３の拡散長を５μｍ１表面濃度を８
．０ Ｘ １０２０ａｍ−３にすることにより、電流増
幅率（ｈＦＥ）は約１００が得られ、かつベース領域４
は拡散長３μｍ、表面濃度１．ＯＸｌｏｌＧｃｍ ”に
することによりベースの平均抵抗は約１．６Ωｃｍが得
られ、実用上可能な範囲に制御できる。
発明の効果
本発明によれば、浅いベース領域への抵抗挿入により、
安全動作領域を拡大し、しがも、その抵抗値を任意に変
化させることが可能なトランジスタ構造が実現でき、そ
の実用的効果は大である。
安全動作領域を拡大し、しがも、その抵抗値を任意に変
化させることが可能なトランジスタ構造が実現でき、そ
の実用的効果は大である。
第１図は本発明実施例半導体装置の断面図、第２図は従
来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・コレクタ基板、２・・・・・・ベース領
域、３・・・・・・エミッタ領域、４・旧・・フローテ
ィングエミッタ領域、５・・・・・・ベース電極、６・
・・・・・エミッタ電極、７・・・・・・コレクタ電極
、８・・目・・絶縁膜、９・旧・・抵抗領域、１０・・
・・・・浅いベース領域。
来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・コレクタ基板、２・・・・・・ベース領
域、３・・・・・・エミッタ領域、４・旧・・フローテ
ィングエミッタ領域、５・・・・・・ベース電極、６・
・・・・・エミッタ電極、７・・・・・・コレクタ電極
、８・・目・・絶縁膜、９・旧・・抵抗領域、１０・・
・・・・浅いベース領域。
Claims (1)
- 半導体基板上に、一導電型のコレクタ領域、同コレクタ
領域内に拡散深さの段差をもった反対導電型のベース領
域、同ベース領域の浅い部分の表面にベース電極、前記
ベース領域の深い部分に一導電型のエミッタ領域をそな
えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194484A JPH07107904B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194484A JPH07107904B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350064A true JPS6350064A (ja) | 1988-03-02 |
| JPH07107904B2 JPH07107904B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=16325302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194484A Expired - Lifetime JPH07107904B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107904B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120775A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Nec Corp | Bipolar transistor |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194484A patent/JPH07107904B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120775A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Nec Corp | Bipolar transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07107904B2 (ja) | 1995-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |