JPH0546268Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0546268Y2 JPH0546268Y2 JP1986012552U JP1255286U JPH0546268Y2 JP H0546268 Y2 JPH0546268 Y2 JP H0546268Y2 JP 1986012552 U JP1986012552 U JP 1986012552U JP 1255286 U JP1255286 U JP 1255286U JP H0546268 Y2 JPH0546268 Y2 JP H0546268Y2
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- JP
- Japan
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- diffusion layer
- insulating film
- semi
- opening
- layer
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体装置に関し、特にパワートラン
ジスタを形成する半導体装置に関する。
ジスタを形成する半導体装置に関する。
従来、パワートランジスタの半導体ぺレツト上
に占める面積が大きくならず、かつ最大コレクタ
電流を伸ばす半導体装置は、第２図ａ及びｂに一
例の平面図、及びＢ−B′線断面図を示すような
構造になつている。
に占める面積が大きくならず、かつ最大コレクタ
電流を伸ばす半導体装置は、第２図ａ及びｂに一
例の平面図、及びＢ−B′線断面図を示すような
構造になつている。
第２図ａ及びｂに示す半導体装置はNPN型の
パワートランジスタで、Ｐ型半導体基板１にN+
埋込層２及びＮ埋込層３を設け、Ｎ埋込層３の領
域内にＰ型拡散層４を形成し、更に、Ｐ型拡散層
４内にＮ型拡散層５を形成している。
パワートランジスタで、Ｐ型半導体基板１にN+
埋込層２及びＮ埋込層３を設け、Ｎ埋込層３の領
域内にＰ型拡散層４を形成し、更に、Ｐ型拡散層
４内にＮ型拡散層５を形成している。
又、Ｐ型拡散層４及びＮ型拡散層５の上面には
シリコン酸化膜６が形成され、Ｎ型拡散層５及び
Ｐ型拡散層４上のシリコン酸化膜６が開口されエ
ミツタ電極７及びベース電極８′が形成される。
シリコン酸化膜６が形成され、Ｎ型拡散層５及び
Ｐ型拡散層４上のシリコン酸化膜６が開口されエ
ミツタ電極７及びベース電極８′が形成される。
上述した従来の半導体装置は、ベース電極８′
とそれに対面するエミツタ電極７のPN接合面と
の距離が、ベース電極８′の外周位置によつて差
異が大きくなつているので、最長部で電流が流れ
難く、最短部で電流集中が起り、破壊し易いとい
う問題点がある。
とそれに対面するエミツタ電極７のPN接合面と
の距離が、ベース電極８′の外周位置によつて差
異が大きくなつているので、最長部で電流が流れ
難く、最短部で電流集中が起り、破壊し易いとい
う問題点がある。
本考案の目的は、電極とPN接合面との距離の
差異を少くして破壊に強い半導体装置を提供する
ことにある。
差異を少くして破壊に強い半導体装置を提供する
ことにある。
本考案の特徴は、一導電型の埋込層領域と、前
記埋込層領域内に形成され、ベース電極が接続さ
れる逆導電型の第１の拡散層と、前記第１の拡散
層内に形成され、エミツタ電極が接続される前記
埋込層領域と同一導電型の第２の拡散層とを有す
る半導体装置において、前記第１および第２の拡
散層上に形成された絶縁膜と、前記第２の拡散層
上の前記絶縁膜に形成された長方形の開口と、前
記長方形の開口内に形成されたエミツタ電極と、
前記長方形の開口の長辺に対面する側の外周が長
円弧状の長円形であり、前記第２の拡散層の端辺
を除く中央部に対向して前記第１の拡散層上の前
記絶縁膜に形成された複数の長円形の開口と、前
記長方形の開口の長辺に対面する側の外周が長円
弧状の半長円形であり、前記第２の拡散層の端辺
に対向して前記第１の拡散層上の前記絶縁膜に形
成された複数の半長円形の開口と、前記長円形の
開口内および前記半長円形の開口内のそれぞれに
形成されたベース電極とを有する半導体装置にあ
る。
記埋込層領域内に形成され、ベース電極が接続さ
れる逆導電型の第１の拡散層と、前記第１の拡散
層内に形成され、エミツタ電極が接続される前記
埋込層領域と同一導電型の第２の拡散層とを有す
る半導体装置において、前記第１および第２の拡
散層上に形成された絶縁膜と、前記第２の拡散層
上の前記絶縁膜に形成された長方形の開口と、前
記長方形の開口内に形成されたエミツタ電極と、
前記長方形の開口の長辺に対面する側の外周が長
円弧状の長円形であり、前記第２の拡散層の端辺
を除く中央部に対向して前記第１の拡散層上の前
記絶縁膜に形成された複数の長円形の開口と、前
記長方形の開口の長辺に対面する側の外周が長円
弧状の半長円形であり、前記第２の拡散層の端辺
に対向して前記第１の拡散層上の前記絶縁膜に形
成された複数の半長円形の開口と、前記長円形の
開口内および前記半長円形の開口内のそれぞれに
形成されたベース電極とを有する半導体装置にあ
る。
次に、本考案の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図ａ及びｂは本考案の一実施例の平面図及
びＡ−A′線断面図である。
びＡ−A′線断面図である。
第１図ａ及びｂに示す実施例はNPN型のパワ
ートランジスタで、Ｐ型半導体基板１にコレクタ
となるN+埋込層２及びＮ埋込層３を設け、Ｎ埋
込層３の領域内に第１の拡散層としてベースとな
るＰ型拡散層４を形成し、Ｐ型拡散層４の内部に
第２の拡散層としてエミツタとなるＮ型拡散層５
を形成する。
ートランジスタで、Ｐ型半導体基板１にコレクタ
となるN+埋込層２及びＮ埋込層３を設け、Ｎ埋
込層３の領域内に第１の拡散層としてベースとな
るＰ型拡散層４を形成し、Ｐ型拡散層４の内部に
第２の拡散層としてエミツタとなるＮ型拡散層５
を形成する。
又、Ｐ型拡散層４及びＮ型拡散層５の上面に絶
縁膜であるシリコン酸化膜６が形成され、Ｎ型拡
散層５の上面のシリコン酸化膜６に長方形の開口
９を設けて、その開口と同一形状の第１の電極と
してのエミツタ電極７を形成する。
縁膜であるシリコン酸化膜６が形成され、Ｎ型拡
散層５の上面のシリコン酸化膜６に長方形の開口
９を設けて、その開口と同一形状の第１の電極と
してのエミツタ電極７を形成する。
更に、Ｐ型拡散層４の上面のシリコン酸化膜６
にエミツタ電極７が設けられた長方形の開口９の
長辺側に対面する側の外周を長円弧状にした複数
の長円形の開口１２をエミツタとなるＮ型拡散層
５の端辺１１を除く中央部１０に対向して設け、
その半分の大きさの複数の半長円形の開口１３を
エミツタとなるＮ型拡散層５の端辺１１に対向し
て設け、長方形の開口１２内および半長円形１３
の開口内のそれぞれにベース電極８を設けてベー
スとなるＰ型拡散層４に接続している。
にエミツタ電極７が設けられた長方形の開口９の
長辺側に対面する側の外周を長円弧状にした複数
の長円形の開口１２をエミツタとなるＮ型拡散層
５の端辺１１を除く中央部１０に対向して設け、
その半分の大きさの複数の半長円形の開口１３を
エミツタとなるＮ型拡散層５の端辺１１に対向し
て設け、長方形の開口１２内および半長円形１３
の開口内のそれぞれにベース電極８を設けてベー
スとなるＰ型拡散層４に接続している。
このような構成にすることにより、ベース電極
８の電極周辺とエミツタ電極７のPN接合面との
距離の差異が従来例に比べて少くなり、電流集中
を起り難くすることができる。
８の電極周辺とエミツタ電極７のPN接合面との
距離の差異が従来例に比べて少くなり、電流集中
を起り難くすることができる。
さらに本考案では、エミツタとなるＮ型拡散層
５の端辺１１にも対向して半長円形の開口１３に
よるベースコンタクトが存在するから、エミツタ
の有効長（ベース開口への対向長）が増加して、
半導体装置の特性が向上する。またこのエミツタ
となるＮ型拡散層５の端辺１１に対向する開口は
長円形ではなく半長円形であるから、この開口の
存在によりベースとなる第１の拡散層４の面積を
大きくする必要がなく、したがつてエミツタの端
辺の利用による寄生容量の増加や集積度の犠牲の
問題は発生しない。
５の端辺１１にも対向して半長円形の開口１３に
よるベースコンタクトが存在するから、エミツタ
の有効長（ベース開口への対向長）が増加して、
半導体装置の特性が向上する。またこのエミツタ
となるＮ型拡散層５の端辺１１に対向する開口は
長円形ではなく半長円形であるから、この開口の
存在によりベースとなる第１の拡散層４の面積を
大きくする必要がなく、したがつてエミツタの端
辺の利用による寄生容量の増加や集積度の犠牲の
問題は発生しない。
以上説明したように本考案の半導体装置は、埋
込層と逆導電型の第１の拡散層に設けた電極形状
を長円形又は半長円形に形成することにより、電
極と対向するPN接合面との距離の差異を従来に
比べて小さくできるので、電流集中が起り難く破
壊に強くできるという効果がある。
込層と逆導電型の第１の拡散層に設けた電極形状
を長円形又は半長円形に形成することにより、電
極と対向するPN接合面との距離の差異を従来に
比べて小さくできるので、電流集中が起り難く破
壊に強くできるという効果がある。
第１図ａ及びｂは本考案の一実施例の平面図及
びＡ−A′線断面図、第２図ａ及びｂは従来の半
導体装置の一例の平面図及びＢ−B′線断面図で
ある。 １……Ｐ型半導体基板、２……N+埋込層、３
……Ｎ埋込層、４……Ｐ型拡散層、５……Ｎ型拡
散層、６……シリコン酸化膜、７……エミツタ電
極、８，８′……ベース電極、９……長方形の開
口、１０……Ｎ型拡散層（エミツタ）の中央部、
１１……Ｎ型拡散層（エミツタ）の端辺、１２…
…長円形の開口、１３……半長円形の開口。
びＡ−A′線断面図、第２図ａ及びｂは従来の半
導体装置の一例の平面図及びＢ−B′線断面図で
ある。 １……Ｐ型半導体基板、２……N+埋込層、３
……Ｎ埋込層、４……Ｐ型拡散層、５……Ｎ型拡
散層、６……シリコン酸化膜、７……エミツタ電
極、８，８′……ベース電極、９……長方形の開
口、１０……Ｎ型拡散層（エミツタ）の中央部、
１１……Ｎ型拡散層（エミツタ）の端辺、１２…
…長円形の開口、１３……半長円形の開口。
Claims (1)
- 一導電型の埋込層領域と、前記埋込層領域内に
形成され、ベース電極が接続される逆導電型の第
１の拡散層と、前記第１の拡散層内に形成され、
エミツタ電極が接続される前記埋込層領域と同一
導電型の第２の拡散層とを有する半導体装置にお
いて、前記第１および第２の拡散層上に形成され
た絶縁膜と、前記第２の拡散層上の前記絶縁膜に
形成された長方形の開口と、前記長方形の開口内
に形成されたエミツタ電極と、前記長方形の開口
の長辺に対面する側の外周が長円弧状の長円形で
あり、前記第２の拡散層の端辺を除く中央部に対
向して前記第１の拡散層上の前記絶縁膜に形成さ
れた複数の長円形の開口と、前記長方形の開口の
長辺に対面する側の外周が長円弧状の半長円形で
あり、前記第２の拡散層の端辺に対向して前記第
１の拡散層上の前記絶縁膜に形成された複数の半
長円形の開口と、前記長円形の開口内および前記
半長円形の開口内のそれぞれに形成されたベース
電極とを有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986012552U JPH0546268Y2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986012552U JPH0546268Y2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124861U JPS62124861U (ja) | 1987-08-08 |
| JPH0546268Y2 true JPH0546268Y2 (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=30800786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986012552U Expired - Lifetime JPH0546268Y2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0546268Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162267A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Sanyo Electric Co Ltd | Transistor structure |
| JPS57181161A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Transistor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58118753U (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-13 | 三洋電機株式会社 | トランジスタ構造 |
-
1986
- 1986-01-30 JP JP1986012552U patent/JPH0546268Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162267A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Sanyo Electric Co Ltd | Transistor structure |
| JPS57181161A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62124861U (ja) | 1987-08-08 |
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