JPS62151767U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS62151767U JPS62151767U JP3922986U JP3922986U JPS62151767U JP S62151767 U JPS62151767 U JP S62151767U JP 3922986 U JP3922986 U JP 3922986U JP 3922986 U JP3922986 U JP 3922986U JP S62151767 U JPS62151767 U JP S62151767U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- region
- base
- electrode
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第1図イは本考案の第1の実施例であるトラン
ジスタの平面図、第1図ロは第1図イにおける
―′線の断面図、第2図イは本考案の第3の実
施例であるトランジスタの平面図、第2図ロは第
2図イにおける―′線の断面図、第3図イは
従来のトランジスタの平面図、第3図ロは第3図
イにおける―′線の断面図である。 1はトランジスタ、2はコレクタ領域、3はベ
ース領域、4はエミツタ領域、5は第1のシリコ
ン酸化膜、6は第1のベース電極、7は抵抗層、
8はエミツタ電極である。
ジスタの平面図、第1図ロは第1図イにおける
―′線の断面図、第2図イは本考案の第3の実
施例であるトランジスタの平面図、第2図ロは第
2図イにおける―′線の断面図、第3図イは
従来のトランジスタの平面図、第3図ロは第3図
イにおける―′線の断面図である。 1はトランジスタ、2はコレクタ領域、3はベ
ース領域、4はエミツタ領域、5は第1のシリコ
ン酸化膜、6は第1のベース電極、7は抵抗層、
8はエミツタ電極である。
補正 昭61.7.17
図面の簡単な説明を次のように補正する。
明細書第6頁12行目ないし第18行目を下記
の通り補正する。 「第1図イは本考案の実施例であるトランジス
タの平面図、第1図ロは第1図イにおける―
′線の断面図、第2図イは従来のトランジスタの
平面図、第2図ロは第2図イにおける―′線
の断面図である。」
の通り補正する。 「第1図イは本考案の実施例であるトランジス
タの平面図、第1図ロは第1図イにおける―
′線の断面図、第2図イは従来のトランジスタの
平面図、第2図ロは第2図イにおける―′線
の断面図である。」
Claims (1)
- コレクタ領域となる半導体基板内形成されるベ
ース領域と該ベース領域内に格子状に形成される
エミツタ領域と該エミツタ領域に囲まれた多数の
島状のベース領域にオーミツクコンタクトするベ
ース電極と前記エミツタ領域にオーミツクコンタ
クトするエミツタ電極とを具備するトランジスタ
に於いて、隣接する島状のベース領域間部に前記
エミツタ領域と前記エミツタ電極とを接続する抵
抗層を設けることを特徴としたトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3922986U JPS62151767U (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3922986U JPS62151767U (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62151767U true JPS62151767U (ja) | 1987-09-26 |
Family
ID=30852209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3922986U Pending JPS62151767U (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62151767U (ja) |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP3922986U patent/JPS62151767U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62151767U (ja) | ||
JPS6413157U (ja) | ||
JPS62124861U (ja) | ||
JPH01145145U (ja) | ||
JPS61114841U (ja) | ||
JPH0316328U (ja) | ||
JPS6249253U (ja) | ||
JPS6364041U (ja) | ||
JPS5860951U (ja) | 半導体装置 | |
JPS6364035U (ja) | ||
JPS63131150U (ja) | ||
JPH01169048U (ja) | ||
JPS5866654U (ja) | ガラスパツシベ−シヨン型半導体装置 | |
JPS6377361U (ja) | ||
JPH01169045U (ja) | ||
JPS60153548U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
JPS62204352U (ja) | ||
JPS60166155U (ja) | 接合型コンデンサ | |
JPS63147841U (ja) | ||
JPS61162065U (ja) | ||
JPH02725U (ja) | ||
JPH0262720U (ja) | ||
JPS60151152U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
JPH0480071U (ja) | ||
JPH0258346U (ja) |