JPH01145145U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01145145U JPH01145145U JP4218588U JP4218588U JPH01145145U JP H01145145 U JPH01145145 U JP H01145145U JP 4218588 U JP4218588 U JP 4218588U JP 4218588 U JP4218588 U JP 4218588U JP H01145145 U JPH01145145 U JP H01145145U
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- JP
- Japan
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- recess
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第1図は本考案のトランジスタチツプの一実施
例の断面図を示す。第2図は従来のトランジスタ
チツプの断面図を示す。 1……ベース層、3……ベース電極コンタクト
部、5……ベース電極、8……エミツタ領域、9
……コレクタ層、10……ベース・エミツタ接合
部、11……酸化膜、12……第1の凹部、13
……第2の凹部、14……表面、15……周辺部
。
例の断面図を示す。第2図は従来のトランジスタ
チツプの断面図を示す。 1……ベース層、3……ベース電極コンタクト
部、5……ベース電極、8……エミツタ領域、9
……コレクタ層、10……ベース・エミツタ接合
部、11……酸化膜、12……第1の凹部、13
……第2の凹部、14……表面、15……周辺部
。
Claims (1)
- コレクタ層と、このコレクタ層の上に形成した
ベース層と、このベース層の表面の一部に形成し
た第1および第2の凹部と、前記第1の凹部に接
触するように形成したベース電極と、前記第2の
凹部に接触するように形成したエミツタ領域とを
具備したことを特徴とするトランジスタチツプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4218588U JPH01145145U (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4218588U JPH01145145U (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01145145U true JPH01145145U (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=31268604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4218588U Pending JPH01145145U (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01145145U (ja) |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP4218588U patent/JPH01145145U/ja active Pending
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