JPH01145145U - - Google Patents

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JPH01145145U
JPH01145145U JP4218588U JP4218588U JPH01145145U JP H01145145 U JPH01145145 U JP H01145145U JP 4218588 U JP4218588 U JP 4218588U JP 4218588 U JP4218588 U JP 4218588U JP H01145145 U JPH01145145 U JP H01145145U
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案のトランジスタチツプの一実施
例の断面図を示す。第2図は従来のトランジスタ
チツプの断面図を示す。 1……ベース層、3……ベース電極コンタクト
部、5……ベース電極、8……エミツタ領域、9
……コレクタ層、10……ベース・エミツタ接合
部、11……酸化膜、12……第1の凹部、13
……第2の凹部、14……表面、15……周辺部

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. コレクタ層と、このコレクタ層の上に形成した
    ベース層と、このベース層の表面の一部に形成し
    た第1および第2の凹部と、前記第1の凹部に接
    触するように形成したベース電極と、前記第2の
    凹部に接触するように形成したエミツタ領域とを
    具備したことを特徴とするトランジスタチツプ。
JP4218588U 1988-03-30 1988-03-30 Pending JPH01145145U (ja)

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JP4218588U JPH01145145U (ja) 1988-03-30 1988-03-30

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JP4218588U JPH01145145U (ja) 1988-03-30 1988-03-30

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JPH01145145U true JPH01145145U (ja) 1989-10-05

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ID=31268604

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JP4218588U Pending JPH01145145U (ja) 1988-03-30 1988-03-30

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