JPS6134754U - 電界効果トランジスタ - Google Patents

電界効果トランジスタ

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Publication number
JPS6134754U
JPS6134754U JP11871884U JP11871884U JPS6134754U JP S6134754 U JPS6134754 U JP S6134754U JP 11871884 U JP11871884 U JP 11871884U JP 11871884 U JP11871884 U JP 11871884U JP S6134754 U JPS6134754 U JP S6134754U
Authority
JP
Japan
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active layer
field effect
effect transistor
gate electrode
gaas
Prior art date
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Pending
Application number
JP11871884U
Other languages
English (en)
Inventor
幸弘 細見
一昭 高見
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
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Publication of JPS6134754U publication Critical patent/JPS6134754U/ja
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す断面図、第2図は従来例
を示す断面図である。 10・・・・・・基板、11・・・・・・ゲート活性層
、12・・・・・・ゲート層、13.14・・・・・・
接続層、15,16・・・・・・ソース・ドレイン電極

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. GaAsからなる半絶縁性基板上に積層された、A]G
    aAsからなる比較的高抵抗のゲート活性層、該活性層
    の一部表面に積層され、上記活性層との間にショットキ
    接合を形成するゲート電極、上記活性層上に積層され上
    記ゲート電極を挾んで対峙するGaAsからなる比較的
    低抵抗の一対の接続層、該接続層の各々の上に被着され
    たソース電極及びドレイン電極からなることを特徴とす
    る電界効果トランジスタ。
JP11871884U 1984-08-01 1984-08-01 電界効果トランジスタ Pending JPS6134754U (ja)

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JP11871884U JPS6134754U (ja) 1984-08-01 1984-08-01 電界効果トランジスタ

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JP11871884U JPS6134754U (ja) 1984-08-01 1984-08-01 電界効果トランジスタ

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JPS6134754U true JPS6134754U (ja) 1986-03-03

Family

ID=30677597

Family Applications (1)

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JP11871884U Pending JPS6134754U (ja) 1984-08-01 1984-08-01 電界効果トランジスタ

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Country Link
JP (1) JPS6134754U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01291415A (ja) * 1988-05-19 1989-11-24 Nippon Denso Co Ltd 半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH01291415A (ja) * 1988-05-19 1989-11-24 Nippon Denso Co Ltd 半導体装置

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