JPS5952715U - 差動回路 - Google Patents
差動回路Info
- Publication number
- JPS5952715U JPS5952715U JP14786182U JP14786182U JPS5952715U JP S5952715 U JPS5952715 U JP S5952715U JP 14786182 U JP14786182 U JP 14786182U JP 14786182 U JP14786182 U JP 14786182U JP S5952715 U JPS5952715 U JP S5952715U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- differential circuit
- transistor
- differential
- abstract
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図はMO3型FETによる差動回路の1例を示す図
、第2図は本考案に用いるMO3型FETの構造を示す
断面図である。 主要部分の符号の説明、Q、、 Q2・・・差動トラン
ジスタ、1・・・半導体基板、2・・・ソース領域、3
・・・ドレイン領域、4・・・ゲート絶縁膜、5・・・
ゲート電極、6・・・付加電極。
、第2図は本考案に用いるMO3型FETの構造を示す
断面図である。 主要部分の符号の説明、Q、、 Q2・・・差動トラン
ジスタ、1・・・半導体基板、2・・・ソース領域、3
・・・ドレイン領域、4・・・ゲート絶縁膜、5・・・
ゲート電極、6・・・付加電極。
Claims (1)
- 差動トランジスタが電界効果トランジスタからなり、前
記トランジスタは、そのドレイン領域とゲート電極との
間の半導体基板表面に絶縁膜を介して一定電位にバイア
スされた導電体を有する構成とされていることを特徴と
する差動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14786182U JPS5952715U (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 差動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14786182U JPS5952715U (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 差動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5952715U true JPS5952715U (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=30328690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14786182U Pending JPS5952715U (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 差動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5952715U (ja) |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP14786182U patent/JPS5952715U/ja active Pending
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