JPS60166156U - 相補型ｍｏｓ集積回路装置 - Google Patents

相補型ｍｏｓ集積回路装置

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JPS60166156U
JPS60166156U JP3242085U JP3242085U JPS60166156U JP S60166156 U JPS60166156 U JP S60166156U JP 3242085 U JP3242085 U JP 3242085U JP 3242085 U JP3242085 U JP 3242085U JP S60166156 U JPS60166156 U JP S60166156U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductivity type
integrated circuit
circuit device
complementary mos
mos integrated
Prior art date
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Pending
Application number
JP3242085U
Other languages
English (en)
Inventor
一ノ瀬　松雄
Original Assignee
セイコーエプソン株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP3242085U priority Critical patent/JPS60166156U/ja
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来方法によるＰチャンネルとＮチャンネル境
界領域のマスク図面である。第２図は従来方法による相
補型ＭＯ３集積回路装置の断面略図である。第３図〜第
５図は本考案の方法による相補型ＭＯ３集積回路装置の
断面略図である。 以下法の通りである。１．′７・・−３ｉ単結晶基板、
　　２．９・・・Ｐ−拡散層、３，１０・・・Ｐ”、；
＜）ツバー拡−−散層、４，１１・・−Ｎ”、；＜）ツ
バ−拡散層、５，１２・・・Ｎ＋拡散層、６，１３・・
・Ｐ＋拡散層、１４・・・充填物。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第１導電型の第１のトランジスタが形成される半導体基
    板に第２のトランジスタが形成される第２導電型拡散領
    域を有する相補型ＭＯ３集積回路装置において、該第２
    導電型拡散領域端部にて該第２導電型拡散領域と該第１
    導電型基板にまたがって形成された溝と、該溝内に充填
    されてなる絶縁部とを有する相補型ＭＯ３集積回路装置
    。
JP3242085U 1985-03-07 1985-03-07 相補型ｍｏｓ集積回路装置 Pending JPS60166156U (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979792A (ja) * 1972-12-08 1974-08-01
JPS5154378A (en) * 1974-11-07 1976-05-13 Fujitsu Ltd Handotaisochino seizohoho
JPS5286083A (en) * 1976-01-12 1977-07-16 Hitachi Ltd Production of complimentary isolation gate field effect transistor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979792A (ja) * 1972-12-08 1974-08-01
JPS5154378A (en) * 1974-11-07 1976-05-13 Fujitsu Ltd Handotaisochino seizohoho
JPS5286083A (en) * 1976-01-12 1977-07-16 Hitachi Ltd Production of complimentary isolation gate field effect transistor

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