JPS59151305U - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPS59151305U
JPS59151305U JP4410583U JP4410583U JPS59151305U JP S59151305 U JPS59151305 U JP S59151305U JP 4410583 U JP4410583 U JP 4410583U JP 4410583 U JP4410583 U JP 4410583U JP S59151305 U JPS59151305 U JP S59151305U
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JP
Japan
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power supply
integrated circuit
semiconductor integrated
transistor
drain
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Pending
Application number
JP4410583U
Other languages
English (en)
Inventor
正 黒田
Original Assignee
株式会社東芝
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Publication date
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Priority to JP4410583U priority Critical patent/JPS59151305U/ja
Publication of JPS59151305U publication Critical patent/JPS59151305U/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を示す回路図、第２図はこの考案の一実
施例を示す回路図、第３図は第２図の要部を示す回路図
、第４図は同じく第２図の要部を示す断面図である。 １１・・・ＭＯ３型ＬＳＩ、　１２．　１３・・・電源
端子、１゛４・・・ＮチャネルＭＯ３）ランジスタ、１
５・・・内部回路、１６・・・太陽電池。 第２図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 高電位が供給される第１の電源端子と、低電位が供給さ
    れる第２の電源端子と、上記第１、第２の電源端子の一
    方にドレインおよびゲートが共通接続されるとともに他
    方にソースが接続されるＭＯＳ）ランジスタと、このＭ
    ＯＳ）ランジスタのドレイン、ソース間で得られる電圧
    を電源電圧として用いる内部回路とを具備したことを特
    徴とする半導体集積回路。
JP4410583U 1983-03-26 1983-03-26 半導体集積回路 Pending JPS59151305U (ja)

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JP4410583U JPS59151305U (ja) 1983-03-26 1983-03-26 半導体集積回路

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JPS59151305U true JPS59151305U (ja) 1984-10-09

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ID=30174640

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