JPS59185855U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59185855U
JPS59185855U JP7980783U JP7980783U JPS59185855U JP S59185855 U JPS59185855 U JP S59185855U JP 7980783 U JP7980783 U JP 7980783U JP 7980783 U JP7980783 U JP 7980783U JP S59185855 U JPS59185855 U JP S59185855U
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JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
substrate
semiconductor device
gate electrode
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Pending
Application number
JP7980783U
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English (en)
Inventor
室　英夫
和義 岡田
Original Assignee
日産自動車株式会社
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Publication date
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は逆流防止用ダイオードの接続状態を示す模式図
、第２図は従来の半導体装置の構成を示す素子断面図、
第３図は従来の逆流防止用ダイオードをＣＭＯ３型半導
体装置に適用した状態を示す素子断面図、第４図は本考
案に係る半導体装置−の一実施例の主要部分を示す素子
断面図、第５図はその等価回路、第６図は本考案の他の
実施例の主要部分を示す素子断面図、第７図はその等価
回路である。 １１・・・Ｐチーヤンネル型ＭＯ３ＦＥＴ、１２−０・
Ｎチ　　　　　。 ヤンネルＭＯ３ＦＥＴ、２０・・・逆バイアス遮断領域
（ト）チャンネルＭＯ３ＦＥＴ）、２１・・・半導体基
板、２２・・・Ｐ型つェル領ｔ２３・・・ソース領域、
２４・・・ドレイン領域、２５・・・ゲート電極、２７
・・・抵抗、２９・・・電源供給用配線。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 第１導電型半導体基板の一生面側に、基板とは反対導電
    型である第２導電型のソース領域とドレイン領域を設け
    てゲート電極を配設してなる第２導電型チャネルＭＯＳ
    トランジスタ領域と；前記基板の一生面側に形成された
    第２導電型基・体領域内に第１導電型のソース領域とド
    レイン領”域とを設けてゲート電極を配設してなる第１
    導電形チヤネルＭＯ３）ランジスタ領域とを備えた半導
    体装置において； 前記第１導電型チャンネルＭＯＳトランジスタ領域のう
    ち少くとも１領域のゲート電極とドレイン領域を共に正
    の外部電源入力線に接続し、ソース領域を前記基板と該
    半導体装置の電源供給配線に接続し、かつ基体領域を抵
    抗を介して接地してなる逆バイアス遮断領域を設けたこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP7980783U 1983-05-27 1983-05-27 半導体装置 Pending JPS59185855U (ja)

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JP7980783U JPS59185855U (ja) 1983-05-27 1983-05-27 半導体装置

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