JPS6011455U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6011455U JPS6011455U JP10256083U JP10256083U JPS6011455U JP S6011455 U JPS6011455 U JP S6011455U JP 10256083 U JP10256083 U JP 10256083U JP 10256083 U JP10256083 U JP 10256083U JP S6011455 U JPS6011455 U JP S6011455U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protection circuit
- semiconductor equipment
- diode
- channel
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図aは従来例の回路図を示し、第1図すは従来例の
チップ構造を示す。第2図aは本考案の実施例の回路図
を示し、第2図すは実施例のチップ構造を示す。 3・・・・・・パッド、4・・・・・・単結晶シリコン
基板、6・・・・・・SiO2膜、10・・・・・・P
チャンネルFET、11・・・・・・ソース、12・・
・・・・ドレイン、13・・・・・・ゲート、20・・
・・・・NチャンネルFET、2 l・・・・・・ソー
ス、22・・・・・・ドレイン、23・・・・・・ゲユ
ト、R1・・・・・・抵抗、D3.D、・・・・・・ダ
イオード。
チップ構造を示す。第2図aは本考案の実施例の回路図
を示し、第2図すは実施例のチップ構造を示す。 3・・・・・・パッド、4・・・・・・単結晶シリコン
基板、6・・・・・・SiO2膜、10・・・・・・P
チャンネルFET、11・・・・・・ソース、12・・
・・・・ドレイン、13・・・・・・ゲート、20・・
・・・・NチャンネルFET、2 l・・・・・・ソー
ス、22・・・・・・ドレイン、23・・・・・・ゲユ
ト、R1・・・・・・抵抗、D3.D、・・・・・・ダ
イオード。
Claims (1)
- シリコーンゲートC−MO8は対してその入力側に順方
向及び逆方向のダイオードを有する保護回路を同一チッ
プ内に構成する半導体装置であって、前記C−MO3を
構成するPチャンネルMO5−FET及びNチャンネル
MO5−EFTのそれぞれのソース及びドレインをSi
基板上面の5i02膜の下に形成し、前記保護回路のダ
イオードは多結晶シリコンにP形とN形の拡散若しくは
イオン注入してPN接合し、これを前記SiO3膜の上
に配置したことを特徴とすを半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10256083U JPS6011455U (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10256083U JPS6011455U (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6011455U true JPS6011455U (ja) | 1985-01-25 |
Family
ID=30241682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10256083U Pending JPS6011455U (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6011455U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63115365A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Nec Corp | 半導体集積回路のラツチアツプ防止回路 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP10256083U patent/JPS6011455U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63115365A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Nec Corp | 半導体集積回路のラツチアツプ防止回路 |
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