JPS6011455U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6011455U
JPS6011455U JP10256083U JP10256083U JPS6011455U JP S6011455 U JPS6011455 U JP S6011455U JP 10256083 U JP10256083 U JP 10256083U JP 10256083 U JP10256083 U JP 10256083U JP S6011455 U JPS6011455 U JP S6011455U
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JP
Japan
Prior art keywords
protection circuit
semiconductor equipment
diode
channel
film
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Pending
Application number
JP10256083U
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English (en)
Inventor
和幸 堀ノ内
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Publication of JPS6011455U publication Critical patent/JPS6011455U/ja
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図aは従来例の回路図を示し、第1図すは従来例の
チップ構造を示す。第2図aは本考案の実施例の回路図
を示し、第2図すは実施例のチップ構造を示す。 3・・・・・・パッド、4・・・・・・単結晶シリコン
基板、6・・・・・・SiO2膜、10・・・・・・P
チャンネルFET、11・・・・・・ソース、12・・
・・・・ドレイン、13・・・・・・ゲート、20・・
・・・・NチャンネルFET、2 l・・・・・・ソー
ス、22・・・・・・ドレイン、23・・・・・・ゲユ
ト、R1・・・・・・抵抗、D3.D、・・・・・・ダ
イオード。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. シリコーンゲートC−MO8は対してその入力側に順方
    向及び逆方向のダイオードを有する保護回路を同一チッ
    プ内に構成する半導体装置であって、前記C−MO3を
    構成するPチャンネルMO5−FET及びNチャンネル
    MO5−EFTのそれぞれのソース及びドレインをSi
    基板上面の5i02膜の下に形成し、前記保護回路のダ
    イオードは多結晶シリコンにP形とN形の拡散若しくは
    イオン注入してPN接合し、これを前記SiO3膜の上
    に配置したことを特徴とすを半導体装置。
JP10256083U 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置 Pending JPS6011455U (ja)

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JP10256083U JPS6011455U (ja) 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置

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JP10256083U JPS6011455U (ja) 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS6011455U true JPS6011455U (ja) 1985-01-25

Family

ID=30241682

Family Applications (1)

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JP10256083U Pending JPS6011455U (ja) 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置

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JP (1) JPS6011455U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63115365A (ja) * 1986-10-31 1988-05-19 Nec Corp 半導体集積回路のラツチアツプ防止回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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