KR850005159A - 기판에 전원 공급 통로를 가진 반도체 집적회로 - Google Patents

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KR850005159A
KR850005159A KR1019840007910A KR840007910A KR850005159A KR 850005159 A KR850005159 A KR 850005159A KR 1019840007910 A KR1019840007910 A KR 1019840007910A KR 840007910 A KR840007910 A KR 840007910A KR 850005159 A KR850005159 A KR 850005159A
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semiconductor layer
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오사무 미나도 (외 4)
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미쓰다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

내용 없음

Description

기판에 전원 공급 통로를 가진 반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는, CMOS 인버어터의 구성을 도시한 소자 단면도.
제2도는, 본 발명의 반도체 집적회로의 실시예를 도시한 단면도.
제3도는, 본 발명의 반도체 집적회로의 실시예의 평면도.
제4도A, 제4도 B, 제4도 C는 본 발명의 반도체 집적회로의 제조 방법의 실시예를 도시한 단면도.

Claims (9)

  1. 낮은 저항 반도체 기판위의 높은 저항 반도체층 내에 p찬넬 및 n찬넬 MOS트랜지스터를 형성하는 CMOS 구성에 있어서, 해당 높은 저항 반도체층 내에 , 제1의 낮은 저항층을 형성하고, 해당 높은 저항 반도체층 표면의 전원 전극이 해당 제1의 낮은 저항층을 거처서 해당 낮은 저항 기판에 접속되어, 해당 낮은 저항 기판을 CMOS 회로의 전원 공급통로로서 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  2. 상기 높은 저항 반도체층의 표면 영역에는, 높은 저항 반도체층과, 반대 도전형의 제1의 웰 영역이 마련되고, 해당 웰 영역내에, 상기 한 쪽의 찬넬의 MOS 트랜지스터가 마련되어서 되는 특허청구의 범위 제1항 기재의 반도체 집적회로.
  3. 특허청구의 범위 제2항의 반도체 집적회로에 있어서, 다른쪽의 찬넬의 MOS트렌지스터는 상기 높은 저항 반도체층에 마련되어 있다.
  4. 특허청구의 범위 제2항의 반도체 집적회로에 있어서, 다른 쪽의 찬넬의 MOS트랜지스터는, 상기 높은 저항 반도체층의 표면 영역에 마련된, 높은 저항 반도체층과 같은 도전형으로 불순물 농도의 보다 높은 제2의 웰영역 내에 마련되어 있다.
  5. 특허청구의 범위 제1항의 반도체 집적회로에 있어서, 상기 높은 저항 반도체층내에 제2의 낮은 저항층을 형성하고, 상기 높은 저항 반도체층 표면의 CMOS회로의 전원 단자가 해당 제2의 낮은 저항층을 거처서 상기 낮은 저항 기판에 접속되어 있다.
  6. 특허청구의 범위 제5항의 반도체 집적회로에 있어서, 상기 CMOS회로의 전원 단자는 , MOS 트랜지스터의 낮은 저항 영역이다.
  7. 특허청구의 범위 제5항의 반도체 집적회로에 있어서, 상기 CMOS회로의 전원 단자는, MOS 트랜지스터의 전극이다.
  8. 특허청구의 범위 제1항의 반도체 집적회로에 있어서, 상기 전원 전극의 반도체 집적회로의 주변부에 배선되어서, 해당 전원전극 배선은, 전원용 본딩 페드에 접속되고, 해당 전원 전극 배선하에, 상기 제1의 낮은 저항층이 형성되어 있다.
  9. 특허청구의 범위 제1항의 반도체 집적회로에 있어서, 상기 제1의 낮은 저항층은, 높은 불순물 농도 반도체층, 금속층 중에서 적어도 한쪽으로 형성되어 있다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840007910A 1983-12-16 1984-12-13 기판에 전원 공급 통로를 가진 반도체 집적회로 KR850005159A (ko)

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JP58-236161 1983-12-16
JP58236161A JPS60128655A (ja) 1983-12-16 1983-12-16 半導体装置

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