JPS592141U - Ｍｏｓ型集積回路装置 - Google Patents

Ｍｏｓ型集積回路装置

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JPS592141U
JPS592141U JP6747183U JP6747183U JPS592141U JP S592141 U JPS592141 U JP S592141U JP 6747183 U JP6747183 U JP 6747183U JP 6747183 U JP6747183 U JP 6747183U JP S592141 U JPS592141 U JP S592141U
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JP
Japan
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integrated circuit
circuit device
type integrated
wiring
mos type
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Pending
Application number
JP6747183U
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English (en)
Inventor
一ノ瀬　松雄
Original Assignee
セイコーエプソン株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＳｉ　　Ｇａｔｅ相補型ＭＯＳインバー
ター回路の断面略図である。第２図は従来のＳｉ　　Ｇ
ａｔｅ相補型相補型巣Ｏ３集積回路図である。 第３図は本考案による５ｉＧａｔｅ相補型ＭＯ３集積回
路の配置図である。 １・・・Ｎ型シリコン基板、２・・・Ｐ−拡散層く３・
・・　。 Ｆ　１ｅｌｄ　　５ｉｎ２．４−Ｇａｔｅ酸化膜、５．
　１３．２１・・・Ｐｏ１ｙ　　Ｓｉ　　Ｇａｔｅ　　
配線、６・・・Ｐ十拡散層、７・・・Ｎ十拡散層、８．
１０・・・ＣＶＤ　　５ｉｎ２．９・・・ＡＩ配線、１
１．１１’、１９．１９’・・・ドレイン、１２．２０
・・・ソース、１４．２２・・・コンタクトホール、１
５．２３・・・Ｖｓｓ電源ライン、１６．２４”’ＶＤ
　Ｄ電源ライン、１７．１８．２５．２６・・・結線。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 多結晶シリコンゲートを有するＭＯ３型集積回路装置に
    おいて、該多結晶シリコンゲートを延長した配線端部は
    、該シリコンゲー・ト電極と同一の幅を有し、該配線端
    部上の絶縁膜中に形成されたコンタクトホールを介して
    、該配線端部が金属配線も接続され、該コンタクトホー
    ルは少なくとも一方向以上において該配線端部の幅より
    も大なる構造を有するＭＯ３型集積回路装置。
JP6747183U 1983-05-06 1983-05-06 Ｍｏｓ型集積回路装置 Pending JPS592141U (ja)

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JPS592141U true JPS592141U (ja) 1984-01-09

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