JPS624148U - - Google Patents

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JPS624148U
JPS624148U JP7289086U JP7289086U JPS624148U JP S624148 U JPS624148 U JP S624148U JP 7289086 U JP7289086 U JP 7289086U JP 7289086 U JP7289086 U JP 7289086U JP S624148 U JPS624148 U JP S624148U
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internal wiring
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substrate
diffusion
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JP7289086U
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は静電耐圧評価試験の簡単な説明図、第
2図は従来の静電気保護回路断面図、第3図は本
考案による静電気保護回路の一実施例を示す断面
図である。 主要部分の符号説明、1……高圧電源、2……
コンデンサー、3……IC、4……Pad、5…
…絶縁膜(SiO)、6……パツシベーシヨン
膜、7……P拡散層、8……N拡散層(スト
ツパー)、9……P拡散層、10……配線金属
(Al)。
補正 昭61.6.13 実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
【実用新案登録請求の範囲】 a 第1導電型で低濃度の半導体よりなる基板と
、 b 第2導電型の不純物を前記基板に低濃度に
散してなる第1の拡散層と、 c 第2導電型の不純物を前記第1の拡散層の内
部に高濃度に拡散してなる第2の拡散層と、 d 前記基板上に絶縁膜を介して形成され、外部
信号を入力するパツド部に接続された第1の内部
配線と同一基板上のMOSトランジスタに信号を
供給する第2の内部配線と、 e 前記絶縁膜に形成された前記第1の内部配線
と前記第2の拡散層を結ぶ第1のコンタクトと前
記第2の内部配線と前記第2の拡散層を結ぶ第2
のコンタクトとからなることを特徴とする外部入
力からの静電気の保護回路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 a 第1導電型の半導体よりなる基板と、 b 第2導電型の不純物を前記基板に拡散してな
    る第1の拡散層と、 c 前記第2導電型の不純物を前記第1の拡散層
    の内部に拡散してなる第2の拡散層と、 d 前記基板の上に絶縁層をはさんで形成された
    外部信号を入力するパツドに接続された第1の内
    部配線とIC内部に信号を供給する第2の内部配
    線と、 e 前記第1の内部配線と前記第2の内部配線を
    前記第2の拡散層を介して接続するために前記絶
    縁層に開けられ、前記第1の内部配線と前記第2
    の拡散層を結ぶ第1のコンタクトと前記第2の内
    部配線と前記第2の拡散層を結ぶ第2のコンタク
    トからなり、 f 前記第2の拡散層は前記第1の拡散層よりも
    拡散濃度が薄いことを特徴とする外部入力からの
    静電気の保護回路。
JP7289086U 1986-05-15 1986-05-15 Pending JPS624148U (ja)

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