JPS60144238U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS60144238U
JPS60144238U JP3225584U JP3225584U JPS60144238U JP S60144238 U JPS60144238 U JP S60144238U JP 3225584 U JP3225584 U JP 3225584U JP 3225584 U JP3225584 U JP 3225584U JP S60144238 U JPS60144238 U JP S60144238U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
semiconductor equipment
gate electrode
field effect
effect transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3225584U
Other languages
English (en)
Inventor
直樹 小林
Original Assignee
富士通株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
Priority to JP3225584U priority Critical patent/JPS60144238U/ja
Publication of JPS60144238U publication Critical patent/JPS60144238U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
、　第１図は半導体ＩＣの従来の配線の例を示す断面図
、第２図ａ及びｂは本考案の実施例を示す模式平面図及
び断面図である。　　　　　　　　　　　　　−図にお
いて、２１及び２４はＦＥＴのゲート電極、２２，２３
及び２５はＦＥＴのソース又はドレイン電極、２６−は
接地線、２７，２７Ａ及び２７Ｂは電源線、２８はコン
タクトホール、２９は層間絶縁膜を示す。 へ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電界効果トランジスタ素子と、該電界効果トランジスタ
    素子のゲート電極と同一層に形成された第１の配線と、
    該ゲート電極層上に配設された第２の配線とを備えて、
    該第１の配線が該第２の配線に並列に接続されてなるこ
    とを特徴とする半導体装置。　　　　　　　　□　、
JP3225584U 1984-03-06 1984-03-06 半導体装置 Pending JPS60144238U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3225584U JPS60144238U (ja) 1984-03-06 1984-03-06 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3225584U JPS60144238U (ja) 1984-03-06 1984-03-06 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60144238U true JPS60144238U (ja) 1985-09-25

Family

ID=30533604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3225584U Pending JPS60144238U (ja) 1984-03-06 1984-03-06 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60144238U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55120150A (en) * 1979-03-09 1980-09-16 Toshiba Corp Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55120150A (en) * 1979-03-09 1980-09-16 Toshiba Corp Semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5936262U (ja) 半導体メモリ素子
JPS591199U (ja) 半導体メモリ素子
JPS60144238U (ja) 半導体装置
JPS60140926U (ja) 表示装置
JPS60942U (ja) 半導体装置
JPS592159U (ja) トランジスタ装置
JPS60166162U (ja) 薄膜トランジスタ基板
JPS59143053U (ja) 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ
JPS58180646U (ja) 電界効果トランジスタ
JPS6083247U (ja) マイクロ波集積回路化トランジスタ回路
JPS6142860U (ja) 相補型ｍｏｓ半導体装置
JPS6230349U (ja)
JPH0385659U (ja)
JPS60136155U (ja) 半導体装置
JPS6133455U (ja) 半導体装置
JPS5952715U (ja) 差動回路
JPS60151147U (ja) 半導体装置
JPS60153548U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS6142863U (ja) Ｍｏｓ半導体装置
JPS5842952U (ja) 半導体装置
JPS5877065U (ja) 集積回路装置
JPS6221558U (ja)
JPS6136824U (ja) 表示装置
JPS5954961U (ja) 半導体装置
JPS6018558U (ja) 薄膜トランジスタ素子