JPS59143053U - 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ - Google Patents

絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ

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Publication number
JPS59143053U
JPS59143053U JP3701283U JP3701283U JPS59143053U JP S59143053 U JPS59143053 U JP S59143053U JP 3701283 U JP3701283 U JP 3701283U JP 3701283 U JP3701283 U JP 3701283U JP S59143053 U JPS59143053 U JP S59143053U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
field effect
effect transistor
insulated gate
gate field
Prior art date
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Pending
Application number
JP3701283U
Other languages
English (en)
Inventor
小西　新一
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Publication of JPS59143053U publication Critical patent/JPS59143053U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はインバータの回路図、第２図は半導体基板上に
設けたインバータの接続状態を示す上面図、第３図は本
考案絶縁ゲート型電界効果トランジスタの断面図、第４
図乃至第７図は本考案トランジスタの製造方法を工程順
に示した断面図である。 １０・・・基板、１３・・・ソース領域、１４・・・ド
レイン領域、１６・・・ゲート酸化膜、１７・・・ゲー
ト電極、１８・・・接続体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型半導体基板上層部に設けられたソース、ドレイ
    ン領域と、この両領域間に介在しているゲート領域と、
    このゲート領域上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲ
    ート酸化膜上に設けられたゲート電極と、このゲート電
    極の側面と上記ソース、ドレイン領域の内の一方とを直
    結する導電性の接続体と、から成る絶縁ゲート型電界効
    果トランジスタ。
JP3701283U 1983-03-14 1983-03-14 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ Pending JPS59143053U (ja)

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JP3701283U JPS59143053U (ja) 1983-03-14 1983-03-14 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3701283U JPS59143053U (ja) 1983-03-14 1983-03-14 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ

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Publication Number Publication Date
JPS59143053U true JPS59143053U (ja) 1984-09-25

Family

ID=30167669

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3701283U Pending JPS59143053U (ja) 1983-03-14 1983-03-14 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ

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