JPS5977244U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5977244U JPS5977244U JP1982172771U JP17277182U JPS5977244U JP S5977244 U JPS5977244 U JP S5977244U JP 1982172771 U JP1982172771 U JP 1982172771U JP 17277182 U JP17277182 U JP 17277182U JP S5977244 U JPS5977244 U JP S5977244U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor equipment
- layer
- abstract
- stacking
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は本考案の一実施例のサイリスタ素子の断面図で
ある。 1・・・・・・シリコン基板、2K・・・・・・カソー
ド電極Ae層、2G・・・・・・ゲート電極A1層、3
K・・・・・・カソード電極はんだ層、3G・・・・・
・ゲート電極はんだ層、4・・・・・・放熱板。
ある。 1・・・・・・シリコン基板、2K・・・・・・カソー
ド電極Ae層、2G・・・・・・ゲート電極A1層、3
K・・・・・・カソード電極はんだ層、3G・・・・・
・ゲート電極はんだ層、4・・・・・・放熱板。
Claims (1)
- 1’層と、このl’層の上にZnまたは希土類金属を添
加したはんだ層とを重ねて形成した金属電極を備えたこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1982172771U JPS5977244U (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1982172771U JPS5977244U (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5977244U true JPS5977244U (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=30376523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1982172771U Pending JPS5977244U (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5977244U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0267731A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Toshiba Corp | はんだバンプ形半導体装置とその製造方法 |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP1982172771U patent/JPS5977244U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0267731A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Toshiba Corp | はんだバンプ形半導体装置とその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5977244U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5914354U (ja) | Dhd型シヨツトキ−ダイオ−ド | |
JPS58168135U (ja) | 半導体装置 | |
JPS60129141U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5878656U (ja) | 混成集積回路装置 | |
JPS592154U (ja) | 半導体装置 | |
JPS59101449U (ja) | 半導体装置 | |
JPS60163738U (ja) | 半導体装置 | |
JPS599553U (ja) | 半導体装置 | |
JPS58158446U (ja) | 放熱装置 | |
JPS60103860U (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JPS5869942U (ja) | 半導体装置 | |
JPS58116236U (ja) | 混成集積回路 | |
JPS60937U (ja) | 半導体チップの放熱構造 | |
JPS5837152U (ja) | 半導体装置 | |
JPS58120647U (ja) | 混成集積回路 | |
JPS58195435U (ja) | 半導体装置 | |
JPS58147277U (ja) | 混成集積回路装置 | |
JPS5889930U (ja) | 半導体装置 | |
JPS6061747U (ja) | 半導体装置 | |
JPS58195444U (ja) | 半導体装置 | |
JPS6142861U (ja) | 半導体装置 | |
JPS58193641U (ja) | 半導体素子の強制風冷装置 | |
JPS60146349U (ja) | 半導体装置の放熱板半田付け構造 | |
JPS60113642U (ja) | 半導体装置 |